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1. (WO2014175907) MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE ET À DÉCODAGE TEMPOREL DE CELLULES FLEXIBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/175907    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/056862
Date de publication : 30.10.2014 Date de dépôt international : 27.08.2013
CIB :
G11C 13/02 (2006.01)
Déposants : BEING ADVANCED MEMORY CORPORATION [US/US]; P.O. Box 630791 Houston, TX 77263-0791 (US)
Inventeurs : WILLEY, Aaron, D.; (US).
JURASEK, Ryan, A.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/816,045 25.04.2013 US
Titre (EN) PHASE CHANGE MEMORY WITH FLEXIBLE TIME-BASED CELL DECODING
(FR) MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE ET À DÉCODAGE TEMPOREL DE CELLULES FLEXIBLE
Abrégé : front page image
(EN)Methods and systems for time-based cell decoding for PCM memory. Generally, the higher the PCM element resistance, the longer it takes for a read output to change state. PCM memory output is determined using differentiated timings of read outputs changing state, rather than differentiated values of read outputs. In some single-bit single-ended sensing embodiments, a reference, with resistance between the resistances corresponding to a pair of adjacent logical states, is stored in multiple reference cells; a "vote" unit emits a clock signal when a majority of the reference cell read outputs transition at the vote unit. Timing units produce different binary outputs depending on whether a data read output or the clock signal changes state first at the timing unit. Time-based decoding provides advantages including improved temperature and drift resilience, improved state discrimination, improved reliability of multibit PCM, and fast and reliable sensing.
(FR)L'invention concerne des procédés et des systèmes de décodage temporel de cellules pour mémoire à changement de phase. Généralement, plus haute est la résistance de l'élément mémoire à changement de phase, plus il faut de temps à une sortie de lecture pour changer d'état. Une sortie de mémoire à changement de phase est déterminée au moyen de temporisations différenciées de sorties de lecture changeant d'état, plutôt que des valeurs différenciées de sorties de lecture. Dans certains modes de réalisation de détection asymétrique à un seul bit, une référence, avec une résistance comprise entre les résistances correspondant à deux états logiques adjacents, est stockée dans des cellules de référence multiples; une unité "vote" émet un signal d'horloge lorsqu'une majorité des sorties de lecture de cellules de référence font une transition au niveau de l'unité vote. Des unités de temporisation produisent des sorties binaires différentes selon qu'une sortie de lecture de données ou le signal d'horloge change d'état en premier au niveau de l'unité de temporisation. Le décodage temporel fournit des avantages comprenant une température et une résilience à la dérive améliorées, une discrimination d'états améliorée, une fiabilité améliorée de mémoire à changement de phase multibits, ainsi qu'une détection rapide et fiable.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)