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1. (WO2014175682) STRUCTURE DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/175682    N° de la demande internationale :    PCT/KR2014/003604
Date de publication : 30.10.2014 Date de dépôt international : 24.04.2014
CIB :
H01L 33/52 (2010.01)
Déposants : CTLAB CO., LTD. [KR/KR]; 193 Yangbyeon-gil, Miyang-myeon Anseong-si Gyeonggi-do 456-842 (KR)
Inventeurs : KIM, Chang Tae; (KR).
JUNG, Hyun Min; (KR).
KIM, Seok Jung; (KR).
SHIN, Won Jae; (KR)
Mandataire : AN, Sang Jeong; First&Forever, 7F, Tower A, Advanced Institutes of Convergence Technology 145, Gwanggyo-ro, Yeongtong-gu Suwon-si Gyeonggi-do 443-270 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2013-0045692 24.04.2013 KR
10-2014-0029459 13.03.2014 KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) STRUCTURE DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure relates to a semiconductor device structure and a method for manufacturing same comprising the steps of: fixing the position of a partition on a plate between semiconductor devices, wherein the semiconductor devices are semiconductor light emitting diodes, and fixing the position of an electrode of the semiconductor devices so as to point toward the plate; covering the semiconductor devices and the partition with an encapsulating material; separating the plate from the encapsulating material while leaving behind the semiconductor devices and the partition; and cutting the encapsulation material.
(FR)La présente invention concerne une structure de dispositif à semi-conducteurs et son procédé de fabrication, comprenant les étapes suivantes : fixation de la position d'une cloison sur une plaque entre deux dispositifs à semi-conducteurs, les dispositifs à semi-conducteurs étant des diodes électroluminescentes à semi-conducteurs, et fixation de la position d'une électrode des dispositifs à semi-conducteurs de sorte qu'elle soit dirigée vers la plaque ; couverture des dispositifs à semi-conducteurs et de la cloison avec un matériau d'encapsulation ; séparation de la plaque du matériau d'encapsulation tout en laissant derrière les dispositifs à semi-conducteurs et la partition ; et découpe du matériau d'encapsulation.
(KO)본 개시는 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법(SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACUTRUING THE SAME)에 있어서, 플레이트 위에 반도체 소자와 격벽을 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자는 반도체 발광소자이며, 반도체 소자의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계; 반도체 소자와 격벽을 봉지제로 덮는 단계; 반도체 소자와 격벽을 남겨두고, 봉지제로부터 플레이트를 분리하는 단계; 그리고, 봉지제를 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 관한 것이다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)