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1. (WO2014175510) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRÉPARER UN NITRURE À BASE DE TERRES RARES À L'AIDE D'UNE TECHNIQUE DE DÉCHARGE EN ARC À PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/175510    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/005993
Date de publication : 30.10.2014 Date de dépôt international : 05.07.2013
CIB :
B22F 9/14 (2006.01), B22F 1/00 (2006.01)
Déposants : KOREA INSTITUTE OF MACHINERY & MATERIALS [KR/KR]; 156, Gajeongbuk-ro Yuseong-gu Daejeon 305-343 (KR)
Inventeurs : KIM, Dong Soo; (KR).
CHUNG, Kook Chae; (KR).
CHOI, Chul Jin; (KR).
KIM, Jong Woo; (KR)
Mandataire : KASAN IP & LAW FIRM; 7th Floor, Hanwon Building, 2423 Nambusunhwan-ro, Seocho-gu, Seoul 137-070 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2013-0046275 25.04.2013 KR
Titre (EN) METHOD FOR PREPARING RARE EARTH-BASED NITRIDE USING PLASMA ARC DISCHARGE TECHNIQUE
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRÉPARER UN NITRURE À BASE DE TERRES RARES À L'AIDE D'UNE TECHNIQUE DE DÉCHARGE EN ARC À PLASMA
(KO) 플라즈마 아크 방전법을 이용한 희토류계 질화물의 제조방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method for preparing a rare earth-based nitride comprising the steps of: providing a rare earth metal parent material; charging the rare earth metal parent material into a plasma generating means; vaporizing the rare earth metal parent material into a plasma arc; generating and growing the nucleus of the rare earth-based nitride through a reaction between vapors of vaporized rare earth and a reaction gas; and forming a nanopowder of the rare earth-based nitride by inhibiting the growth of crystals of the nucleus of the rare earth-based nitride, wherein the rare earth-based nitride can be easily prepared through a plasma arc discharge technique in which the rare earth metal parent material is vaporized into the plasma arc.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé permettant de préparer un nitrure à base de terres rares, ledit procédé comprenant les étapes consistant à : fournir un matériau parent de métal des terres rares ; charger le matériau parent de métal des terres rares dans un moyen de génération de plasma ; vaporiser le matériau parent de métal des terres rares dans un arc à plasma ; générer et faire croître le noyau du nitrure à base de terres rares au moyen d'une réaction entre les vapeurs des terres rares vaporisées et un gaz de réaction ; et former une nanopoudre du nitrure à base de terres rares en empêchant la croissance des cristaux du noyau du nitrure à base de terres rares, le nitrure à base de terres rares pouvant être facilement préparé au moyen d'une technique de décharge en arc à plasma dans laquelle le matériau parent de métal des terres rares est vaporisé dans l'arc à plasma.
(KO)본 발명은 희토류계 금속 모재를 제공하는 단계; 상기 희토류계 금속 모재를 플라즈마 발생수단의 내부로 장입하는 단계; 상기 희토류계 금속 모재를 플라즈마 아크로 증발시키는 단계; 상기 증발된 희토류계 증기와 반응가스가 반응하여, 희토류계 질화물의 핵이 생성 및 성장하는 단계; 및 상기 희토류계 질화물 핵의 결정성장을 억제시켜, 희토류계 질화물의 나노분말을 형성하는 단계를 포함하는 희토류계 질화물의 제조방법에 관한 것으로, 희토류계 금속 모재를 플라즈마 아크로 증발시키는 아크 플라즈마 방전법에 의해 용이하게 희토류계 질화물을 제조할 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)