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1. (WO2014175392) CIBLE DE PULVÉRISATION POUR FILM D'ENREGISTREMENT MAGNÉTIQUE, ET MATIÈRE CARBONÉE BRUTE DESTINÉE À ÊTRE UTILISÉE DANS LA PRODUCTION DE CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/175392    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/061594
Date de publication : 30.10.2014 Date de dépôt international : 24.04.2014
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/14 (2006.01), G11B 5/851 (2006.01)
Déposants : JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP)
Inventeurs : OGINO Shin-ichi; (JP)
Mandataire : OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office, HATSUMEIKAIKAN 5F, 9-14, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-094300 26.04.2013 JP
Titre (EN) SPUTTERING TARGET FOR MAGNETIC RECORDING FILM, AND RAW CARBON MATERIAL FOR USE IN PRODUCING SAME
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION POUR FILM D'ENREGISTREMENT MAGNÉTIQUE, ET MATIÈRE CARBONÉE BRUTE DESTINÉE À ÊTRE UTILISÉE DANS LA PRODUCTION DE CELLE-CI
(JA) 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造に用いる炭素原料
Abrégé : front page image
(EN)A sintered-object sputtering target comprising an alloy that has a composition which contains 5-60 mol% Pt, with the remainder comprising Fe, and nonmagnetic materials dispersed in the alloy, the sputtering target being characterized in that the nonmagnetic materials include at least C in an amount of 5-60 mol% and that the C grains present in a cross-section perpendicular to the sputtering surface of the target have an average grain area of 50 μm2 or greater. The sputtering target enables the magnetic thin film of heat-assisted magnetic recording media to be produced without requiring the use of an expensive, simultaneously sputtering device, and is reduced in particle generation during sputtering.
(FR)La présente invention concerne une cible de pulvérisation d'objet fritté comprenant un alliage ayant une composition contenant de 5 à 60 % en moles de Pt, le complément étant constitué de Fe, et de matières non magnétiques dispersées dans l'alliage, la cible de pulvérisation étant caractérisée en ce que les matières non magnétiques comprennent au moins du C à hauteur de 5 à 60 % en moles et en ce que les grains de C présents dans une section transversale perpendiculaire à la surface de pulvérisation de la cible ont une surface moyenne des grains supérieure ou égale à 50 μm2. La cible de pulvérisation permet de produire le film mince magnétique du support d'enregistrement magnétique thermoassisté sans avoir besoin d'utiliser de dispositif couteux de pulvérisation simultanée, et génère peu de particules pendant la pulvérisation.
(JA)Ptが5~60mol%、残余がFeからなる組成の合金と、その合金中に分散する非磁性材料からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、非磁性材料として少なくともCを5~60mol%含み、ターゲットのスパッタ面に対する垂直断面におけるC粒子の平均粒子面積が50μm以上であることを特徴とする記載のスパッタリングターゲット。高価な同時スパッタ装置を用いることなく、熱アシスト磁気記録メディアの磁性薄膜の作製を可能にし、スパッタリング時に発生するパーティクル量を低減したスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)