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1. (WO2014174995) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEURS, ET DISPOSITIF À SEMICONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/174995    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/059280
Date de publication : 30.10.2014 Date de dépôt international : 28.03.2014
CIB :
H01L 21/56 (2006.01), H01L 23/02 (2006.01), H01L 23/28 (2006.01)
Déposants : AOI ELECTRONICS CO.,LTD. [JP/JP]; 455-1, Kohzai-Minamimachi, Takamatsu-shi, Kagawa 7618014 (JP)
Inventeurs : EBISUI, Takahiro; (JP).
FURUICHI, Masako; (JP).
INOUE, Shuji; (JP)
Mandataire : NAGAI, Fuyuki; c/o NAGAI & ASSOCIATES, Fukoku Seimei Building, 2-2-2, Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-094349 26.04.2013 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEURS, ET DISPOSITIF À SEMICONDUCTEURS
(JA) 半導体装置の製造方法および半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)This method for manufacturing a semiconductor device comprises: a fixation step wherein a plurality of semiconductor chips are mounted on and fixed to predetermined positions on the upper surface of a starting substrate that is to be formed into separate substrates; a connection step wherein electrodes of the plurality of semiconductor chips and electrodes of the starting substrate are connected to each other by wires; a sealing step wherein the entire lateral circumference of each semiconductor chip is sealed with a resin by means of resin potting among the plurality of semiconductor chips on the upper surface of the starting substrate; a bonding step wherein a starting protective cover, which is to be formed into separate protective covers, is bonded to the surface of the resin so that the starting protective cover extends over the plurality of semiconductor chips; and a cutting step wherein the assembly of semiconductor devices, which is obtained by bonding the starting protective cover to the starting substrate with the resin therebetween, is cut into separate semiconductor devices.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs, comportant: une étape de fixation lors de laquelle une pluralité de pastilles à semiconducteurs est montée sur et fixée à des positions prédéterminées sur la surface supérieure d'un substrat de départ appelé à être transformé en substrats distincts; une étape de connexion lors de laquelle des électrodes de la pluralité de pastilles à semiconducteurs et des électrodes du substrat de départ sont reliées entre elles par des fils; une étape de scellement lors de laquelle la totalité de la circonférence latérale de chaque pastille à semiconducteurs est scellée à l'aide d'une résine par un surmoulage de résine parmi la pluralité de pastilles à semiconducteurs sur la surface supérieure du substrat de départ; une étape de collage lors de laquelle un couverture protectrice de départ, appelé à être transformé en couvertures protectrices distinctes, est collée à la surface de la résine de telle façon que la couverture protectrice de départ s'étende par-dessus la pluralité de pastilles à semiconducteurs; et une étape de découpe lors de laquelle l'ensemble de dispositifs à semiconducteurs, obtenu en collant la couverture protectrice de départ au substrat de départ, la résine se trouvant entre ceux-ci, est découpé en dispositifs distincts à semiconducteurs.
(JA) 半導体装置の製造方法は、個々の基板となる1枚の原基板の上面に複数の半導体チップを所定の位置に戴置し固定する固定工程と、複数の半導体チップの電極と原基板の電極とをワイヤで接続する接続工程と、原基板の上面において、複数の半導体チップの間に樹脂をポッティングして各半導体チップの側方全周を樹脂封止する封止工程と、複数の半導体チップに跨るように、個々の保護カバーとなる1枚の原保護カバーを樹脂の表面に接着する接着工程と、原保護カバーが樹脂を介して原基板に接着された半導体装置集合体を個々の半導体装置に切断する切断工程とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)