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1. (WO2014174937) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR PRÉSENTANT UNE CONNEXION DE MATIÈRES HÉTÉROGÈNES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/174937    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/057314
Date de publication : 30.10.2014 Date de dépôt international : 18.03.2014
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP)
Inventeurs : HAYASHI Yutaka; (JP).
IKEGAMI Keiichi; (JP).
OHNO Yasuhide; (JP).
KAMIMURA Takafumi; (JP).
MATSUMOTO Kazuhiko; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-091373 24.04.2013 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HETEROGENEOUS MATERIAL CONNECTION
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR PRÉSENTANT UNE CONNEXION DE MATIÈRES HÉTÉROGÈNES
(JA) 異種材料接合を有する半導体デバイス
Abrégé : front page image
(EN)A high-temperature production step cannot be used when producing a semiconductor device on a glass substrate or an organic sheet, or when providing a heavy metal positioning mark of platinum, gold, or the like on a device production substrate in the case of using electron beam lithography. By providing a connection such that a first conductive region, a first insulating film, a first semiconductor thin film, and a second or third region are laminated in the given order, and a space charge region is formed between the first insulating film and the second or third region within the first semiconductor thin film at the section at which the second or third region contacts the first semiconductor thin film, a semiconductor device connection or a semiconductor device is provided such that the second or third region can be produced at a low temperature.
(FR)Il n'est pas possible d'utiliser une étape de production à haute température pour la production d'un dispositif semi-conducteur sur un substrat en verre ou un film organique, ou pour munir un substrat de production du dispositif d'un repère de positionnement en platine, or ou métal lourd similaire si on utilise la lithographie par faisceau d'électrons. En établissant une connexion telle qu'une première région conductrice, un premier film isolant, un premier film mince semi-conducteur et une deuxième ou une troisième région sont stratifiés dans l'ordre indiqué, et de telle manière qu'une région de charge intercalaire est formée entre le premier film isolant et la deuxième ou troisième région à l'intérieur du premier film mince semi-conducteur au niveau de la partie dans laquelle la deuxième ou la troisième région est en contact avec le premier film mince semi-conducteur, il est possible de réaliser une connexion de dispositif semi-conducteur ou un dispositif semi-conducteur de telle manière que la deuxième ou la troisième région peuvent être produites à basse température.
(JA)電子ビームリソグラフィを使用する場合に白金、金などの重金属の位置合わせマークをデバイス製造基板上に設けた場合、またガラス基板、有機物シート上に半導体デバイスを製造するとき、高温製造工程は使用できない。 第1導電性領域、第1絶縁膜、第1半導体薄膜、第2または第3領域を順に積層し、該第2または第3領域が該第1半導体薄膜に接する部分で該第1半導体薄膜内に該第2または第3領域と該第1絶縁膜との間に空間電荷領域を形成されている接合を提供することにより、該第2または第3領域を低温で製造できる半導体デバイス接合または半導体デバイスを提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)