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1. (WO2014174854) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/174854    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/002347
Date de publication : 30.10.2014 Date de dépôt international : 25.04.2014
CIB :
H01L 23/36 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : FUJI ELECTRIC CO.,LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
Inventeurs : HORI, Motohito; (JP).
TAKAHASHI, Yoshikazu; (JP).
NISHIMURA, Yoshitaka; (JP).
IKEDA, Yoshinari; (JP).
GOHARA, Hiromichi; (JP)
Mandataire : HIROSE, Hajime; NICHIEI Patent and Trademark Attorneys, Shiroyama Trust Tower 32F, 3-1, Toranomon 4-chome, Minato-ku, Tokyo 1056032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-092796 25.04.2013 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor device wherein an insulating substrate and a cooling body are reliably joined with each other with a lower thermal resistance without having a holding means. This semiconductor device is provided with: insulating substrates (3U, 3L), each of which is provided with a copper plate for wiring patterns, said copper plate forming a plurality of wiring patterns, on one surface of an insulating plate, while being provided with a copper plate for heat dissipation on the other surface; semiconductor chips (4U, 4L) which are mounted on respective copper plates for wiring patterns of the insulating substrates; a cooling body (21) that is in contact with the copper plates for heat dissipation of the insulating substrates; and conductor plates for wiring (5U, 5L), which are connected between the semiconductor chips and the copper plates for wiring patterns, respectively. The copper plates for heat dissipation of the insulating substrates and the cooling body are joined with each other by means of a metal sintered material (20), and the thicknesses of the copper plates for wiring patterns and the copper plates for heat dissipation are set to such thicknesses that attenuate a thermal stress.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur, un substrat isolant et un corps de refroidissement étant reliés de manière fiable l'un à l'autre au moyen d'une résistance thermique inférieure sans nécessiter de moyen de maintien. Le dispositif à semi-conducteur selon l'invention est pourvu : de substrats isolants (3U, 3L), chacun desquels étant pourvu d'une plaque de cuivre destinée à des motifs de câblage, ladite plaque de cuivre formant une pluralité de motifs de câblage, sur une surface d'une plaque isolante, tout en étant pourvu d'une plaque de cuivre destinée à la dissipation de chaleur sur l'autre surface ; de puces à semi-conducteur (4U, 4L) qui sont montées sur des plaques de cuivre respectives destinées aux motifs de câblage des substrats isolants ; d'un corps de refroidissement (21) qui est en contact avec les plaques de cuivre destinées à la dissipation de chaleur des substrats isolants ; et de plaques conductrices de câblage (5U, 5L), qui sont connectées respectivement entre les puces à semi-conducteur et les plaques de cuivre destinées aux motifs de câblage. Les plaques de cuivre destinées à la dissipation de chaleur des substrats isolants et le corps de refroidissement sont liés entre eux au moyen d'un matériau métallique fritté (20), et les épaisseurs des plaques de cuivre destinées aux motifs de câblage et des plaques de cuivre destinées à la dissipation de chaleur sont établies de sorte à permettre d'atténuer une contrainte thermique.
(JA) 保持手段を設けることがなく絶縁基板と冷却体とを熱抵抗を小さくして確実に接合することができる半導体装置を提供する。絶縁板部の一方に複数の配線パターンを形成する配線パターン用銅板部を配置し、他方に放熱用銅板部を配置した絶縁基板(3U),(3L)と、該絶縁基板の前記配線パターン用銅板部に実装された半導体チップ(4U),(4L)と、前記絶縁基板の放熱用銅板部に接触された冷却体(21)と、前記半導体チップと前記配線パターン用銅板部との間に接続された配線用導体板(5U),(5L)とを備え、前記絶縁基板の放熱用銅板部と前記冷却体とを金属焼結材(20)で接合するとともに、前記配線パターン用銅板部及び前記放熱用銅板部の厚みが熱応力を緩和する厚みに設定されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)