WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014174825) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/174825    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/002229
Date de publication : 30.10.2014 Date de dépôt international : 21.04.2014
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Inventeurs : HIRANO, Hiroshige; .
TETANI, Michinari;
Mandataire : FUJII, Kentaro; c/o Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-091287 24.04.2013 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)This semiconductor device is provided with: a first insulating film that is arranged on a semiconductor substrate; a first wiring line that is formed in the first insulating film; a rewiring line that is formed on the first insulating film and contains copper; a second insulating film that is formed on the rewiring line; a first connection part that is formed in the first insulating film and connects the first wiring line and the rewiring line with each other; and a second connection part that penetrates through the second insulating film and reaches the rewiring line. The first connection part comprises a plurality of first contacts and the size of the first contacts in the semiconductor substrate main surface direction is not more than a predetermined value that depends on the film thickness of the rewiring line.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs qui comporte : un premier film isolant qui est disposé sur un substrat de semi-conducteur; une première ligne de câblage qui est formée dans le premier film isolant; une ligne de recâblage qui est formée sur le premier film isolant et contient du cuivre; un second film isolant qui est formé sur la ligne de recâblage; une première partie de connexion qui est formée sur le premier film isolant et connecte la première ligne de câblage et la ligne de recâblage l'une à l'autre; et une seconde partie de connexion qui pénètre à travers le second film isolant et atteint la ligne de recâblage La première partie de connexion comprend une pluralité de premiers contacts et la taille des premiers contacts dans la direction de surface principale de substrat de semi-conducteur n'est pas supérieure à une valeur prédéterminée qui dépend de l'épaisseur de film de la ligne de recâblage.
(JA)半導体装置は、半導体基板上に設けられた第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜中に形成された第1の配線と、第1の絶縁膜上に形成され、銅を含む再配線と、再配線上に形成された第2の絶縁膜と、第1の絶縁膜中に形成され、第1の配線と再配線とを接続する第1の接続部と、第2の絶縁膜を貫通して再配線に達する第2の接続部とを備える。第1の接続部は、複数の第1のコンタクトを含み、第1のコンタクトにおける半導体基板の主面方向の寸法は、再配線の膜厚に依存する所定の値以下である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)