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1. (WO2014174192) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE DIODE SCHOTTKY SUR UN SUBSTRAT EN DIAMANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/174192    N° de la demande internationale :    PCT/FR2014/050952
Date de publication : 30.10.2014 Date de dépôt international : 18.04.2014
CIB :
H01L 21/285 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/16 (2006.01)
Déposants : CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3, rue Michel Ange F-75794 Paris Cedex 16 (FR).
UNIVERSITE JOSEPH FOURIER [FR/FR]; 621, Avenue Centrale B.P. 53 F-38041 Grenoble Cedex 9 (FR).
INSTITUT POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE [FR/FR]; 46, Avenue Félix Viallet F-38000 Grenoble (FR)
Inventeurs : EON, David; (FR).
GHEERAERT, Etienne; (FR).
MURET, Pierre; (FR).
PERNOT, Julien; (FR).
TRAORE, Aboulaye; (FR)
Mandataire : CABINET BEAUMONT; 1, rue Champollion F-38000 Grenoble (FR)
Données relatives à la priorité :
1353647 22.04.2013 FR
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING A SCHOTTKY DIODE ON A DIAMOND SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE DIODE SCHOTTKY SUR UN SUBSTRAT EN DIAMANT
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for producing a Schottky diode, comprising the following steps: a) oxygenating the surface of a semiconductive layer (105) of monocrystalline diamond, in such a way as to replace hydrogen surface terminations of the semiconductive layer (105) with oxygen surface terminations; and b) forming, by physical vapour deposition, a first conductive layer of zirconium or indium-tin oxide on the surface of the semiconductive layer (105).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une diode Schottky, comportant les étapes suivante : a) oxygéner la surface d'une couche semiconductrice (105) en diamant monocristallin, de façon à remplacer des terminaisons de surface hydrogène de la couche semiconductrice (105) par des terminaisons de surface oxygène; et b) former, par dépôt physique en phase vapeur, une première couche conductrice de zirconium ou d'oxyde d' indium-étain à la surface de la couche semiconductrice (105).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)