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1. (WO2014173823) LASER À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/173823    N° de la demande internationale :    PCT/EP2014/057942
Date de publication : 30.10.2014 Date de dépôt international : 17.04.2014
CIB :
H01S 5/022 (2006.01), H01S 5/024 (2006.01), H01S 5/22 (2006.01), H01S 5/042 (2006.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : GERHARD, Sven; (DE).
MUELLER, Jens; (DE).
BRUEDERL, Georg; (DE)
Mandataire : PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK; Prinzenstr. 13 80639 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2013 207 258.9 22.04.2013 DE
Titre (DE) HALBLEITERLASER
(EN) SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser mit einem Grundkörper (2) und einem auf dem Grundkörper angeordneten Streifenkörper (3), wobei der Grundkörper und der Streifenkörper aus Halbleitermaterial gebildet sind, wobei das Halbleitermaterial eine aktive Zone (4) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung aufweist, wobei auf einer Oberseite des Streifenkörpers eine erste Kontaktschicht (9) aufgebracht ist, wobei eine zweite Kontaktschicht (10 an wenigstens eine Seitenfläche des Streifenkörpers (11,12) und/ oder an wenigstens eine seitlich zum Streifenkörper angeordnete Oberseite des Grundkörpers (1,14) angrenzt, wobei die zweite Kontaktschicht (10) mit einer Wärmesenke (1) in Kontakt steht, wobei ein elektrischer Übergangswiderstand zwischen der zweiten Kontaktschicht (10) und dem Grundkörper (2) und/oder dem Streifenkörper (3) größer ist als der elektrische Übergangswiderstand zwischen der ersten Kontaktschicht (9) und dem Streifenkörper (3). Die erste Kontaktschicht kann eine Metallelektrode sein und die zweite Kontaktschicht ein Goldlot und durch diese Anordnung wird die Wärmeabfuhr zur Wärmesenke verbessert.
(EN)The invention relates to a semiconductor laser comprising a main body (2) and a stripe body (3) arranged on the main body, wherein the main body and the stripe body are formed from semiconductor material, wherein the semiconductor material has an active zone (4) for generating electromagnetic radiation, wherein a first contact layer (9) is applied on a top side of the stripe body, wherein a second contact layer (10) adjoins at least one side surface of the stripe body (11, 12) and/or at least one top side of the main body (1, 14) arranged laterally with respect to the stripe body, wherein the second contact layer (10) is in contact with a heat sink (1), wherein an electrical contact resistance between the second contact layer (10) and the main body (2) and/or the stripe body (3) is greater than the electrical contact resistance between the first contact layer (9) and the stripe body (3). The first contact layer can be a metal electrode and the second contact layer can be a gold solder, and the heat dissipation to the heat sink is improved by this arrangement.
(FR)L'invention concerne un laser à semi-conducteur qui comporte un corps de base (2) sur lequel est disposé une structure en ruban (3). Le corps de base et la structure en ruban sont formés d'un matériau semi-conducteur. Ledit matériau semi-conducteur comporte une zone active (4) destinée à générer un rayonnement électromagnétique. Une première couche de contact (9) est appliquée sur une surface supérieure de la structure en ruban. Une seconde couche de contact (10) est adjacente à au moins une surface latérale de la structure en ruban (11, 12) et/ou à au moins une surface supérieure du corps de base (1,14) qui sont disposées latéralement de la structure en ruban. La seconde couche de contact (10) est en contact avec un puits thermique (1). La résistance électrique de contact entre la seconde couche de contact (10) et le corps de base (2) et/ou la structure en ruban (3) est supérieure à la résistance électrique de contact entre la première couche de contact (9) et la structure en ruban (3). La première couche de contact peut être une électrode métallique et la seconde couche de contact et peut être une soudure à l'or et cet agencement améliore la dissipation thermique en direction du puits thermique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)