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1. (WO2014173589) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/173589    N° de la demande internationale :    PCT/EP2014/055527
Date de publication : 30.10.2014 Date de dépôt international : 19.03.2014
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01S 5/02 (2006.01), B23K 26/00 (2014.01), B23K 26/40 (2014.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : PLÖSSL, Andreas; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2013 104 270.8 26.04.2013 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips (10) eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Trägerverbunds (11), der ein Saphirwafer ist, B) Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (2) auf den Trägerverbund (11), und C) Zerteilen des Trägerverbunds (11) und der Halbleiterschichtenfolge (2) zu den einzelnen Halbleiterchips (10). Der Schritt C) umfasst hierbei: D) Erzeugen je einer Vielzahl von selektiv ätzbaren Materialveränderungen in dem Trägerverbund (11) in Trennbereichen (s) durch eine fokussierte, gepulste Laserstrahlung (L), wobei die Laserstrahlung (L) eine Wellenlänge aufweist, bei der der Trägerverbund (11) transparent ist, und E) nasschemisches Ätzen der Materialveränderungen, sodass der Trägerverbund (11) zu einzelnen Trägern (1) für die Halbleiterchips (2) vereinzelt wird.
(EN)In at least one embodiment, the method is designed for producing optoelectronic semiconductor chips (10) and comprises the steps of: A) providing a carrier composite (11), which is a sapphire wafer, B) applying a semiconductor layer sequence (2) to said carrier composite (11), and C) dividing the carrier composite (11) and the semiconductor layer sequence (2) into the individual semiconductor chips (10). Step C) comprises: D) creating a plurality of selectively etchable material modifications in the carrier composite (11) in each of the separating regions (s) by means of a focused, pulsed laser beam (L), the laser beam (L) having a wavelength at which the carrier composite (11) is transparent, and E) wet chemical etching of the material modifications so that the carrier composite (11) is separated into individual carriers (1) for the semiconductor chips (2).
(FR)Dans au moins un mode de réalisation, le procédé est adapté pour fabriquer des puces de semi-conducteurs optoélectroniques (10) et il comprend les étapes suivantes : A) préparation d'un ensemble substrat (11) qui est une tranche de saphir, B) dépôt d'une succession de couches semi-conductrices (2) sur l'ensemble substrat (11), et C) division de l'ensemble substrat (11) et de la succession de couches semi-conductrices (2) pour former les puces de semi-conducteurs (10) individuelles. L'étape C) comprend : D) la réalisation d'une pluralité de modifications matérielles gravables sélectivement dans des zones de séparation (S) de l'ensemble substrat (11) au moyen d'un rayonnement laser (L) pulsé concentré, le rayonnement laser (L) ayant une longueur d'onde à laquelle l'ensemble substrat (11) est transparent, et E) la gravure chimique humide des modifications matérielles de façon à partager l'ensemble substrat (11) en substrats (1) individuels pour les puces de semi-conducteurs (2).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)