WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014172837) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE MÉTALLISATION UNIFORME SUR SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/172837    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/074527
Date de publication : 30.10.2014 Date de dépôt international : 22.04.2013
CIB :
H01L 21/607 (2006.01), C25D 5/20 (2006.01)
Déposants : ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC. [CN/CN]; Bld. 4, No. 1690 Cailun Road, Zhangjiang High-tech Park Shanghai 201203 (CN)
Inventeurs : WANG, Hui; (CN).
CHEN, Fuping; (CN).
WANG, Xi; (CN)
Mandataire : SHANGHAI PATENT & TRADEMARK LAW OFFICE, LLC; 435 Guiping Road Shanghai 200233 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR UNIFORMLY METALLIZATION ON SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE MÉTALLISATION UNIFORME SUR SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to applying at least one ultra/mega sonic device and its reflection plate for forming standing wave in a metallization apparatus to achieve highly uniform metallic film deposition at a rate far greater than conventional film growth rate in electrolyte. In the present invention, the substrate is dynamically controlled so that the position of the substrate passing through the entire acoustic field with different power intensity in each motion cycle. This method guarantees each location of the substrate to receive the same amount of total sonic energy dose over the interval of the process time, and to accumulatively grow a uniform deposition thickness at a rapid rate.
(FR)La présente invention concerne l'application d'au moins un dispositif à ultra/méga-sons et sa plaque de réflexion pour former une onde stationnaire dans un appareil de métallisation pour réaliser un dépôt de film métallique hautement uniforme à un taux bien supérieur à un taux de croissance de film classique dans de l'électrolyte. Dans la présente invention, le substrat est contrôlé de manière dynamique de sorte que la position du substrat passe dans l'intégralité du champ acoustique avec différentes intensités de puissance dans chaque cycle de mouvement. Le procédé garantit que chaque emplacement du substrat reçoit la même quantité de dose d'énergie sonique totale sur toute la durée du temps de traitement, et permet de faire croître de manière accumulative une épaisseur de dépôt uniforme à une grande vitesse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)