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1. (WO2014171984) REVÊTEMENTS ANTI-REFLET CONTENANT DU SILICIUM ET DES SILSESQUIOXANES NON POLYMÈRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/171984    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/012624
Date de publication : 23.10.2014 Date de dépôt international : 23.01.2014
CIB :
G03F 7/11 (2006.01), C09D 5/00 (2006.01), C09D 183/00 (2006.01), G03F 7/075 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US).
SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.; 28-1 Nishi Fukushima, Kubiki-ku Joetsu-shi, Niigata-ken (JP)
Inventeurs : GLODDE, Martin; (US).
HUANG, Wu-song; (US).
PEREZ, Javier; (US).
SOORIYAKUMARAN, Ratnam; (US).
KINSHO, Takeshi; (JP).
OGIHARA, Tsutomu; (JP).
TACHIBANA, Seiichiro; (JP).
UEDA, Takafumi; (JP)
Mandataire : SCHNURMANN, H., Daniel; (US)
Données relatives à la priorité :
13/767,114 14.02.2013 US
Titre (EN) SILICON-CONTAINING ANTIREFLECTIVE COATINGS INCLUDING NON-POLYMERIC SILSESQUIOXANES
(FR) REVÊTEMENTS ANTI-REFLET CONTENANT DU SILICIUM ET DES SILSESQUIOXANES NON POLYMÈRES
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments include a silicon-containing antireflective material including a silicon- containing base polymer, a non-polymeric silsesquioxane material, and a photoacid generator. The silicon-containing base polymer may contain chromophore moieties, transparent moieties, and reactive sites on an SiOx background, where x ranges from approximately 1 to approximately 2. Exemplary non-polymeric silsesquioxane materials include polyhedral oligomeric silsesquioxanes having acid labile side groups linked to hydrophilic groups Exemplary acid labile side groups may include tertiary alkyl carbonates, tertiary alkyl esters, tertiary alkyl ethers, acetals and ketals, Exemplary hydrophilic groups may include phenols, alcohols, carboxylic acids, amides, and sulfonamides. Embodiments further include lithographic structures including an organic anti-reflective layer, the above-described silicon-containing anti-reflective layer above the organic anti-reflective layer, and a photoresist layer above the above-described silicon-containing anti-reflective layer. Embodiments further include a method of forming a lithographic structure utilizing the above-described silicon-containing anti- reflective layer.
(FR)L'invention concerne, dans certains modes de réalisation, un matériau anti-reflet contenant du silicium comportant un polymère de base contenant du silicium, un matériau silsesquioxane non polymère et un générateur de photoacide. Le polymère de base contenant du silicium peut comporter des fractions chromophores, des fractions transparentes et des sites réactifs sur une base SiOx, x étant compris entre environ 1 et environ 2. Parmi les exemples de matériaux silsesquioxanes non polymères figurent les silsesquioxanes oligomères polyèdres comportant des groupes latéraux labiles acides liés à des groupes hydrophiles. Parmi les exemples de groupes latéraux labiles acides figurent les carbonates d'alkyle tertiaires, les esters d'alkyle tertiaires, les éthers d'alkyle tertiaires, les acétals et les cétals. Parmi les exemples de groupes hydrophiles figurent les phénols, les alcools, les acides carboxyliques, les amides et les sulfonamides. Certains modes de réalisation de l'invention concernent des structures lithographiques contenant une couche organique anti-reflet recouverte de la couche anti-reflet contenant du silicium décrite précédemment, elle-même recouverte d'une couche photorésistante. D'autres modes de réalisation concernent un procédé consistant à former une structure lithographique utilisant la couche anti-reflet contenant du silicium décrite précédemment.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)