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1. (WO2014171510) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MASQUE DE DÉPHASAGE, MASQUE DE DÉPHASAGE ET DISPOSITIF DE PRODUCTION DE MASQUE DE DÉPHASAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/171510    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/060929
Date de publication : 23.10.2014 Date de dépôt international : 17.04.2014
CIB :
G03F 1/28 (2012.01), G03F 1/29 (2012.01)
Déposants : ULVAC COATING CORPORATION [JP/JP]; 2804, Terao, Chichibu-shi, Saitama 3680056 (JP)
Inventeurs : MOCHIZUKI Satoru; (JP).
NAKAMURA Daisuke; (JP).
KAGEYAMA Kagehiro; (JP)
Mandataire : SHIGA Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-086983 17.04.2013 JP
Titre (EN) PHASE SHIFT MASK PRODUCTION METHOD, PHASE SHIFT MASK AND PHASE SHIFT MASK PRODUCTION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MASQUE DE DÉPHASAGE, MASQUE DE DÉPHASAGE ET DISPOSITIF DE PRODUCTION DE MASQUE DE DÉPHASAGE
(JA) 位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、及び位相シフトマスクの製造装置
Abrégé : front page image
(EN)The topmost layer configuring a multistage region of a phase shift layer is made to have a higher oxygen content than the lower layers. By this means, the reflectivity is reduced of the topmost layer, where the exposure light is incident. Thereby, the light reflected by the phase shift mask is reduced, preventing the pattern forming accuracy from decreasing due to reflected light, making it possible to form fine and highly accurate patterns.
(FR)La présente invention concerne une couche supérieure qui comprend une région multi-étagée d'une couche de déphasage amenée à avoir une teneur en oxygène supérieure à celle des couches inférieures. La réflectivité de la couche supérieure est ainsi réduite lorsque la lumière d'exposition est incidente. Ainsi, la lumière réfléchie par le masque de déphasage est réduite, évitant ainsi la diminution de la précision de formation de motif due à la lumière réfléchie, ce qui permet la formation de motifs fins et très précis.
(JA) 位相シフト層の多段領域を構成する最上層は、それより下の層よりも、酸素の含有量を多くさせた。これにより、露光光の入射側となる最上層は、反射率が低減される。よって、位相シフトマスクで反射される反射光を少なくし、反射光によるパターン形成精度の低下を防止して、微細かつ高精度なパターン形成を可能にすることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)