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1. (WO2014171467) ELÉMENT À DEL ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/171467    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/060763
Date de publication : 23.10.2014 Date de dépôt international : 15.04.2014
CIB :
H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/10 (2010.01)
Déposants : EL-SEED CORPORATION [JP/JP]; 3-1804-2, Umegaoka, Tenpaku-ku, Nagoya-shi, Aichi 4680004 (JP)
Inventeurs : KITANO, Tsukasa; (JP).
MORI, Midori; (JP).
KONDO, Toshiyuki; (JP).
SUZUKI, Atsushi; (JP).
NANIWAE, Koichi; (JP).
OHYA, Masaki; (JP)
Mandataire : SHIGEIZUMI, Tatsushi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-086049 16.04.2013 JP
2013-086050 16.04.2013 JP
2013-086051 16.04.2013 JP
Titre (EN) LED ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) ELÉMENT À DEL ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) LED素子及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are an LED element capable of improving light-extraction efficiency, and a method for producing the same. The LED element is provided with: a semiconductor layer section containing a light-emitting layer; a diffraction surface which has light emitted from the light-emitting layer incident thereon, has projections formed thereon at a period which is larger than the optical wavelength of the light and smaller than the coherence length of the light, reflects the incident light in a plurality of modes according to Bragg diffraction conditions, and transmits the incident light in a plurality of modes according to the Bragg diffraction conditions; and a reflective surface for reflecting the light which was diffracted by the diffraction surface, and projecting said light onto the diffraction surface again. Therein, the semiconductor layer section is formed around the periphery of the projections on the diffraction surface with no gaps interposed therebetween, and flat sections constitute 40% or more of the diffraction surface when seen from a planar view.
(FR)La présente invention concerne un élément à DEL permettant d'améliorer l'efficacité d'extraction de lumière et son procédé de production. L'élément à DEL comprend : une section de couche à semi-conducteurs contenant une couche électroluminescente; une surface de diffraction dont la lumière est émise à partir de la couche électroluminescente incidente sur celle-ci, sur laquelle sont formées des saillies pendant une durée qui est supérieure à la longueur d'onde optique de la lumière et inférieure à la longueur de cohérence de la lumière, qui réfléchit la lumière incidente dans une pluralité de modes selon les conditions de diffraction de Bragg et transmet la lumière incidente dans une pluralité de mode selon les conditions de diffraction de Bragg; et une surface réfléchissante destinée à réfléchir la lumière qui est diffractée par la surface de diffraction et à projeter à nouveau ladite lumière sur la surface de diffraction. Dans la description, la section de couche à semi-conducteurs est formée autour de la périphérie des saillies sur la surface de diffraction, aucun espace n'existant entre les saillies, et des sections plates constituent au moins 40 % de la surface de diffraction, observée dans une vue en plan.
(JA) さらに光取り出し効率を向上させることのできるLED素子及びその製造方法を提供する。 発光層を含む半導体積層部と、発光層から発せられる光が入射し、当該光の光学波長より大きく当該光のコヒーレント長より小さい周期で凸部が形成され、入射光をブラッグの回折条件に従って複数のモードで反射するとともに、入射光をブラッグの回折条件に従って複数のモードで透過する回折面と、回折面にて回折した光を反射して前記回折面へ再入射させる反射面と、を備えたLED素子において、半導体積層部は、回折面上に凸部の周囲に空隙なく形成され、回折面において、平面視にて、平坦部の割合が40%以上であるようにした。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)