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1. (WO2014171059) PROCÉDÉ DE POLISSAGE D'UNE GALETTE EN SILICIUM ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE GALETTE ÉPITAXIALE

Pub. No.:    WO/2014/171059    International Application No.:    PCT/JP2014/001420
Publication Date: 23 oct. 2014 International Filing Date: 13 mars 2014
IPC: H01L 21/304
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD.
信越半導体株式会社
Inventors: SATO, Hideki
佐藤 英樹
Title: PROCÉDÉ DE POLISSAGE D'UNE GALETTE EN SILICIUM ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE GALETTE ÉPITAXIALE
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de polissage d'une galette en silicium, selon lequel une galette en silicium est soumise à une étape de polissage spéculaire dans laquelle : la galette en silicium est soumise à un rodage ; la galette en silicium est ensuite soumise à un processus destiné à éliminer les impuretés métalliques adhérant à la surface de la galette en silicium, processus au cours duquel la surface de la galette en silicium est soumise à un traitement d'oxydation en utilisant un gaz ozonisé ou une eau ozonisée et à un traitement d'élimination du film d'oxyde en utilisant une vapeur d'acide fluorhydrique ou une solution d'acide fluorhydrique ; et après cela, la galette en silicium est soumise au polissage final. Il est ainsi possible d'éviter l'apparition de défauts provoqués par le polissage sur la galette en silicium pendant l'étape de polissage spéculaire, en réalisant ainsi un procédé de polissage d'une galette en silicium et un procédé de production d'une galette épitaxiale qui permettent respectivement de prévenir une détérioration de la qualité de la surface de la galette en silicium après l'étape de polissage et d'une galette épitaxiale, laquelle est obtenue par laminage d'une couche épitaxiale sur celle-ci au cours d'une étape suivante.