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1. (WO2014170912) SUPERCONDENSATEUR TOUT SOLIDE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/170912    N° de la demande internationale :    PCT/IN2014/000233
Date de publication : 23.10.2014 Date de dépôt international : 15.04.2014
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.02.2015    
CIB :
H01G 11/28 (2013.01), H01G 11/48 (2013.01), H01G 11/56 (2013.01), H01G 11/70 (2013.01), H01G 11/86 (2013.01)
Déposants : COUNCIL OF SCIENTIFIC & INDUSTRIAL RESEARCH [IN/IN]; Anusandhan Bhawan Rafi Marg New Delhi 110001 (IN)
Inventeurs : KURUNGOT, Sreekumar; (IN).
BADIGER, Manohar Virupax; (IN).
ANOTHUMAKKOOL, Bihag; (IN).
TORRIS, Arun; (IN)
Mandataire : NAIR, Manisha Singh; Lex Orbis Intellectual Property Practice 709/710, Tolstoy House 15-17 Tolstoy Marg New Delhi 110001 (IN)
Données relatives à la priorité :
1111/DEL/2013 15.04.2013 IN
Titre (EN) ALL-SOLID-STATE-SUPERCAPACITOR AND A PROCESS FOR THE FABRICATION THEREOF
(FR) SUPERCONDENSATEUR TOUT SOLIDE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The present invention discloses. all-solid-state supercapacitor (ASSP) with enhanced electrode-electrolyte interface which gives highest very high specific capacitance, areal capacitance and shows very low internal resistance (ESR). The invention particularly discloses the fabrication of all-solid-state supercapacitor by intercalation of solid state polymer electrolyte inside the conducting porous substrate coated with a charge storage electrode material to achieve the desired effect.
(FR)La présente invention concerne un supercondensateur tout solide (ASSP) présentant une interface électrode/électrolyte améliorée qui assure une capacité spécifique très élevée d'antenne et présente une résistance interne très faible. Plus particulièrement, l'invention concerne la fabrication d'un supercondensateur tout solide par insertion d'un électrolyte polymère solide dans un substrat poreux conducteur revêtu d'un matériau d'électrode à stockage de charge pour obtenir l'effet voulu.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)