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1. (WO2014169960) RÉSEAU DE RÉSONATEURS NANOMÉCANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/169960    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/058133
Date de publication : 23.10.2014 Date de dépôt international : 19.04.2013
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.02.2015    
CIB :
H03H 9/24 (2006.01)
Déposants : KOC UNIVERSITESI [TR/TR]; Koc Universitesi Rumelifeneri Yolu Sariyer 34450 Istanbul (TR)
Inventeurs : ALACA, Burhanettin, Erdem; (TR).
LEBLEBICI, Yusuf; (CH).
YORULMAZ, Ismail; (TR).
KILINC, Yasin; (TR).
AKSOY, Bekir; (TR)
Mandataire : ÇAYLI, Hülya; Paragon Consultancy Inc. Koza Sokak No: 63/2 GOP 06540 Ankara (TR)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) A NANOMECHANICAL RESONATOR ARRAY AND PRODUCTION METHOD THEREOF
(FR) RÉSEAU DE RÉSONATEURS NANOMÉCANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)In the present invention, a nanomechanical resonator array (1), which is suitable being used in an oscillator and production method of said nanomechanical resonator array are developed. Said resonator array (1) comprises at least two resonators (2), which are in the size of nanometers, which are vertically arrayed and which are preferably in the form of nano-wire or nano-tube; at least one coupling membrane (3), which mechanically couples said resonators (2) from their one ends, and at least one clamping element (4), which supports mechanical coupling by clamping said coupling membrane (3). Said resonator array (1) can be actuated and its displacements can be sensed. The present invention develops a predictive model of the frequency response of an oscillator comprising the said resonator array (1) for electrostatic actuation and capacitive readout. An oscillator comprised of multiple resonator arrays (1) with different frequency responses connected to a frequency manipulation circuitry can be used as well. For silicon-based systems, said production method comprises the steps of patterning two windows on device silicon layer exposing it to plasma etching using Bosch process; carrying out a further oxidation to form nanowires in an oxide envelop; depositing further sacrificial material. Actuation and readout electrode integration comprises steps of electrode material deposition; self-aligned mask material deposition, chemical mechanical polishing; electode material etch; releasing nanowires by etching sacrificial material and oxide envelope. For non-silicon-based systems, said production method comprises the steps of structural and sacrificial material deposition; patterning and anisotropic etching of both materials; isotropic etching of sacrifial material.
(FR)La présente invention concerne un réseau de résonateurs nanomécanique (1), qui est approprié pour être utilisé dans un oscillateur et un procédé de fabrication dudit réseau de résonateurs nanomécanique. Ledit réseau de résonateurs (1) comprend au moins deux résonateurs (2), qui sont de taille nanométrique, qui sont disposés verticalement en réseau et qui sont, de préférence, sous la forme de nanofil ou de nanotube ; au moins une membrane de couplage (3), qui couple mécaniquement lesdits résonateurs (2) à partir d'une de leurs extrémités, et au moins un élément de serrage (4), qui supporte un couplage mécanique par serrage de ladite membrane de couplage (3). Ledit réseau de résonateurs (1) peut être actionné et ses déplacements peuvent être détectés. La présente invention concerne le développement d'un modèle prédictif de la réponse de fréquence d'un oscillateur comprenant ledit réseau de résonateurs (1) pour l'actionnement électrostatique et la lecture capacitif. On peut utiliser aussi un oscillateur qui comporte multiples réseaux de résonateurs (1) avec différentes réponses de fréquence connectés à un circuit de manipulation de fréquence peut être utilisé ainsi. Pour des systèmes à base de silicium, ledit procédé de fabrication comprend les étapes de formation d'un motif dans deux des fenêtres sur la couche de silicium du dispositif afin de les exposer à la gravure par plasma à l'aide de procédé Bosch ; la mise en œuvre d'une autre oxydation pour former des nanofils dans une enveloppe d'oxyde ; le dépôt d'un autre matériau sacrificiel. L'intégration de l'électrode d'actionnement et de lecture comprend les étapes de dépôt d'un matériau d'électrode ; le dépôt d'un matériau de masquage auto-aligné ; le polissage mécano-chimique ; la gravure de matériau d'électrode ; la libération de nanofils par gravure d'un matériau sacrificiel et une enveloppe d'oxyde. Pour des systèmes dépourvus de silicium, ledit procédé de fabrication comprend les étapes de dépôt d'un matériau structurel et sacrificiel ; la formation de motifs et la gravure anisotrope des deux matériaux ; la gravure isotrope de matériau sacrificiel.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)