WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014169543) SUBSTRAT DE RÉSEAU, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/169543    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/080063
Date de publication : 23.10.2014 Date de dépôt international : 25.07.2013
CIB :
G02F 1/1362 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01)
Déposants : HEFEI BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.2177 Tonglingbei Road Hefei, Anhui 230012 (CN).
BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : ZHAO, Haiting; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310136326.2 18.04.2013 CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(ZH) 阵列基板、制备方法以及液晶显示装置
Abrégé : front page image
(EN)An array substrate, manufacturing method and liquid crystal display device, the array substrate comprising a substrate, and multiple sub-pixel units disposed on the substrate; a sub-pixel unit comprises a thin film transistor, a pixel electrode (31), a common electrode (61), and a passivation layer (51); the thin film transistor comprises a source layer (22), a gate electrode (11), a source electrode (42) and a drain electrode (43); the source electrode (42) is electrically connected to the pixel electrode (31); the passivation layer (51) covers the source electrode (42), the drain electrode (43), and the pixel electrode (31); and the sub-pixel unit further comprises a test electrode (62) electrically connected to the pixel electrode (31) and exposed on the surface of the sub-pixel unit. The test electrode (62) facilitates testing of TFT electrical properties and improves the quality level of the liquid crystal display device.
(FR)L'invention porte sur un substrat de réseau, un procédé de fabrication et un dispositif d'affichage à cristaux liquides, le substrat de réseau comprenant un substrat, et de multiples unités de sous-pixel disposées sur le substrat ; une unité de sous-pixel comprenant un transistor en couches minces, une électrode de pixel (31), une électrode commune (61), et une couche de passivation (51) ; le transistor en couches minces comprenant une couche de source (22), une électrode de grille (11), une électrode de source (42) et une électrode de drain (43) ; l'électrode de source (42) étant connectée électriquement à l'électrode de pixel (31) ; la couche de passivation (51) recouvrant l'électrode de source (42), l'électrode de drain (43), et l'électrode de pixel (31) ; et l'unité de sous-pixel comprenant en outre une électrode de test (62) connectée électriquement à l'électrode de pixel (31) et présentée sur la surface de l'unité de sous-pixel. L'électrode de test (62) facilite le test de propriétés électriques TFT et améliore le niveau de qualité du dispositif d'affichage à cristaux liquides.
(ZH)一种阵列基板、制备方法以及液晶显示装置,阵列基板包括基板以及设置于基板上的多个子像素单元,子像素单元包括薄膜晶体管、像素电极(31)、公共电极(61)和钝化层(51),薄膜晶体管包括有源层(22)、栅电极(11)、源电极(42)及漏电极(43),漏电极(42)与像素电极(31)电连接,钝化层(51)覆盖源电极(42)、漏电极(43)和像素电极(31),子像素单元还包括与像素电极(31)电连接且在子像素单元的表面裸露的测试电极(62)。通过测试电极(62),可以很方便地测试TFT的电学性能,还可以提升液晶显示装置的品质等级。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)