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1. (WO2014169518) PHOTODIODE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION AINSI QUE SUBSTRAT DE DÉTECTEUR À RAYONS X ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/169518    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/077512
Date de publication : 23.10.2014 Date de dépôt international : 20.06.2013
CIB :
H01L 31/20 (2006.01), H01L 27/144 (2006.01), H01L 31/115 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : GUO, Wei; (CN).
REN, Qingrong; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310139580.8 19.04.2013 CN
Titre (EN) PHOTODIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND X-RAY DETECTOR SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) PHOTODIODE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION AINSI QUE SUBSTRAT DE DÉTECTEUR À RAYONS X ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 光电二极管及其制造方法、X射线探测器基板及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN)A photodiode and a manufacturing method therefor, and an X-ray detector substrate and a manufacturing method therefor. The manufacturing method for a photodiode comprises: forming a photodiode on a substrate, wherein the photodiode comprises an N-type layer, an I-type layer and a P-type layer which is formed through the ion implantation and activation process. The I-type layer is positioned on the P-type layer, and the N-type layer is positioned on the I-type layer. By changing the manufacturing order of the photodiode, the pollution of an intrinsic amorphous silicon because of the implantation of boron ions is avoided, thereby improving the photoelectric performance of the photodiode.
(FR)L'invention concerne une photodiode et son procédé de fabrication ainsi qu'un substrat de détecteur à rayons X et son procédé de fabrication. Le procédé de fabrication d'une photodiode comprend une étape consistant : à former une photodiode sur un substrat, laquelle photodiode comprend une couche de type N, une couche de type I et une couche de type P qui est formée par implantation ionique et processus d'activation. La couche de type I est positionnée sur la couche de type P et la couche de type N est positionnée sur la couche de type I. Grâce au changement de l'ordre de fabrication de la photodiode, il est possible d'éviter la pollution d'un silicium amorphe intrinsèque due à l'implantation ionique de bore, ce qui améliore la performance photoélectrique de la photodiode.
(ZH)一种光电二极管及其制造方法、X射线探测器基板及其制造方法。所述光电二极管的制造方法包括:在衬底基板上形成光电二极管,所述光电二极管包括N型层、I型层以及经过离子注入和活化工艺形成的P型层,所述I型层位于所述P型层之上,所述N型层位于所述I型层之上,通过改变光电二极管的制作顺序,避免了因硼离子的注入造成对本征非晶硅的污染,从而提高了光电二极管的光电性能。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)