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1. WO2014169506 - DISPOSITIF DE MÉMOIRE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET PROCÉDÉ D'ACCÈS À CE DISPOSITIF

Numéro de publication WO/2014/169506
Date de publication 23.10.2014
N° de la demande internationale PCT/CN2013/076484
Date du dépôt international 30.05.2013
CIB
H01L 29/78 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 27/10826
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
108Dynamic random access memory structures
10805with one-transistor one-capacitor memory cells
10826the transistor being of the FinFET type
H01L 27/10879
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
108Dynamic random access memory structures
10844Multistep manufacturing methods
10847for structures comprising one transistor one-capacitor memory cells
10873with at least one step of making the transistor
10879the transistor being of the FinFET type
H01L 29/66795
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66787with a gate at the side of the channel
66795with a horizontal current flow in a vertical sidewall of a semiconductor body, e.g. FinFET, MuGFET
H01L 29/66803
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66787with a gate at the side of the channel
66795with a horizontal current flow in a vertical sidewall of a semiconductor body, e.g. FinFET, MuGFET
66803with a step of doping the vertical sidewall, e.g. using tilted or multi-angled implants
H01L 29/785
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
785having a channel with a horizontal current flow in a vertical sidewall of a semiconductor body, e.g. FinFET, MuGFET
Déposants
  • 中国科学院微电子研究所 INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 朱慧珑 ZHU, Huilong
Mandataires
  • 中科专利商标代理有限责任公司 CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.
Données relatives à la priorité
201310138554.319.04.2013CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF AND ACCESS METHOD
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET PROCÉDÉ D'ACCÈS À CE DISPOSITIF
(ZH) 存储器件及其制造方法和存取方法
Abrégé
(EN)
A memory device and manufacturing method thereof, and an access method. The memory device may comprise: a substrate (100); a back-gate (120) formed on the substrate (100); a transistor, including fins (104) formed at the two opposite sides of the back-gate (120) on the substrate (100) and a gate stack formed on the substrate (100), the gate stack intersecting the fin (104); and back-gate dielectric layers (116) between the back-gate (120) and each fin (104) and between the back-gate (120) and the substrate (100), there being openings arranged on the back-gate dielectric layer (116) at one side of the gate stack, the back-gate (120) being electrically connected to the fins through said openings.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de mémoire, son procédé de fabrication et un procédé d'accès à ce dispositif. Le dispositif de mémoire peut comprendre : un substrat (100) ; une grille arrière (120) formée sur le substrat (100) ; un transistor, comprenant des ailerons (104) formés sur les deux côtés opposés de la grille arrière (120) sur le substrat (100) et un empilement de grille formé sur le substrat (100), l'empilement de grille croisant l'aileron (104) ; et des couches diélectriques de grille arrière (116) entre la grille arrière (120) et chaque aileron (104) et entre la grille arrière (120) et le substrat (100), des ouvertures étant placées sur la couche diélectrique de grille arrière (116) sur un côté de l'empilement de grille, la grille arrière (120) étant électriquement reliée aux ailerons par lesdites ouvertures.
(ZH)
一种存储器件及其制造方法和存取方法。存储器件可以包括:衬底(100);在衬底(100)上形成的背栅(120);晶体管,包括:在衬底(100)上在背栅(120)的相对两侧形成的鳍(104);以及在衬底(100)上形成的栅堆叠,所述栅堆叠与鳍(104)相交;以及夹于背栅(120)与各鳍(104)之间以及背栅(120)与衬底(100)之间的背栅介质层(116),其中,在栅堆叠的一侧,背栅介质层(116)存在开口,背栅(120)通过该开口与鳍(104)电接触。
Également publié en tant que
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