WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014169370) CHAÎNE DE CELLULES EN FORME DE U DE TYPE STANDARD
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/169370    N° de la demande internationale :    PCT/CA2014/000346
Date de publication : 23.10.2014 Date de dépôt international : 14.04.2014
CIB :
G11C 11/40 (2006.01), G11C 16/00 (2006.01)
Déposants : CONVERSANT INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT INC. [CA/CA]; 390 March Road Suite 100 Ottawa, Ontario K2K 0G7 (CA)
Inventeurs : RHIE, Hyoung Seub; (CA)
Mandataire : HAMMOND, Daniel; Conversant Intellectual Property Management Inc. 390 March Road Suite 100 Ottawa, Ontario K2K 0G7 (CA)
Données relatives à la priorité :
61/812,363 16.04.2013 US
14/046,281 04.10.2013 US
Titre (EN) A U-SHAPED COMMON-BODY TYPE CELL STRING
(FR) CHAÎNE DE CELLULES EN FORME DE U DE TYPE STANDARD
Abrégé : front page image
(EN)A flash device comprising a well and a U-shaped flash cell string, the U-shaped flash cell string built directly on a substrate adjacent the well. The U-shaped flash cell string comprises one portion parallel to a surface of the substrate, comprising a junctionless bottom pass transistor, and two portions perpendicular to the surface of the substrate that comprise a string select transistor at a first top of the cell string, a ground select transistor at a second top of the cell string, a string select transistor drain, and a ground select transistor source.
(FR)L'invention concerne un dispositif à mémoire flash qui comporte un puits et une chaîne de cellules de mémoire flash en forme de U, la chaîne de cellules de mémoire flash en forme de U étant conçue directement sur un substrat adjacent au puits. La chaîne de cellules de mémoire flash en forme de U comporte une partie parallèle à une surface du substrat, comportant un transistor ballast de fond sans jonction, et deux parties perpendiculaires à la surface du substrat qui comportent un transistor de sélection de chaîne sur une première partie supérieure de la chaîne de cellules, un transistor de sélection de masse au niveau d'une deuxième partie supérieure de la chaîne de cellules, un transistor drain de sélection de chaînes et un transistor source de sélection de masse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)