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1. (WO2014169218) MATÉRIAUX, SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES ET MODES POUR EFFET TRANSITOIRE ACTIF ET PASSIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/169218    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/033817
Date de publication : 16.10.2014 Date de dépôt international : 11.04.2014
CIB :
H05K 7/00 (2006.01)
Déposants : THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS [US/US]; 352 Henry Administration Building 506 S. Wright Street Urbana, Illinois 61801 (US)
Inventeurs : ROGERS, John A.; (US).
LEE, Chi Hwan; (US).
YIN, Lan; (US).
HUANG, Xian; (US).
LEAL, Cecilia Maria das Neves Barbosa; (US).
HARBURG, Daniel Vincent; (US)
Mandataire : MARSHALL, Shireen R.; Lathrop & Gage LLP 4845 Pearl East Circle, Suite 201 Boulder, Colorado 80301 (US)
Données relatives à la priorité :
61/811,603 12.04.2013 US
61/828,935 30.05.2013 US
61/829,028 30.05.2013 US
Titre (EN) MATERIALS, ELECTRONIC SYSTEMS AND MODES FOR ACTIVE AND PASSIVE TRANSIENCE
(FR) MATÉRIAUX, SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES ET MODES POUR EFFET TRANSITOIRE ACTIF ET PASSIF
Abrégé : front page image
(EN)The invention provides transient devices, including active and passive devices that electrically and/or physically transform upon application of at least one internal and/or external stimulus. Materials, modeling tools, manufacturing approaches, device designs and system level embodiments of transient electronics are provided.
(FR)L'invention porte sur des dispositifs transitoires, comprenant des dispositifs actif et passif qui se transforment électriquement et/ou physiquement dès l'application d'au moins un stimulus interne et/ou externe. L'invention porte également sur des matériaux, des outils de modélisation, des approches de fabrication, des conceptions de dispositif et des modes de réalisation niveau système d'électronique transitoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)