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1. (WO2014168430) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CIRCUIT REDRESSEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/168430    N° de la demande internationale :    PCT/KR2014/003115
Date de publication : 16.10.2014 Date de dépôt international : 10.04.2014
CIB :
H01L 21/337 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : SILICON WORKS CO., LTD. [KR/KR]; 222, Techno 2-ro Yuseong-gu Daejeon 305-510 (KR)
Inventeurs : KIM, Duck Soo; (KR)
Mandataire : LEE, Cheol Hee; 8, 100gil Samsung-ro Gangnam-gu Seoul 135-090 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2013-0039534 10.04.2013 KR
10-2013-0114527 26.09.2013 KR
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING RECTIFIER CIRCUIT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CIRCUIT REDRESSEUR
(KO) 정류 회로의 제조 방법
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a rectifier circuit is disclosed. The rectifier circuit according to the manufacturing method of the present invention has low forward voltage, low leakage current and fast reverse recovery, can simplify the manufacturing process by an improved channel forming process and can improve yield. In addition, the method for manufacturing a rectifier circuit of the present invention can precisely control the forming of a channel.
(FR)Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un circuit redresseur. Ledit circuit redresseur fabriqué par le procédé selon l'invention présente une tension directe réduite, un courant de fuite réduite et un temps de recouvrement inverse réduit. De plus, ledit procédé de fabrication est simplifié grâce à un procédé amélioré de formation de canal et il assure l'amélioration du rendement. Enfin, le procédé de fabrication de circuit redresseur selon l'invention assure la commande précise de la formation d'un canal.
(KO)본 발명은 정류 회로의 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 제조 방법에 의한 정류 회로는 낮은 순방향 전압, 낮은 누설 전류 및 빠른 리버스 리커버리 특성을 가지며, 채널을 형성하는 개선된 공정에 의하여 제조 공정을 단순화할 수 있고 수율을 향상할 수 있다. 그리고, 본 발명의 정류 회로의 제조 방법은 채널을 형성하는 것을 정확히 제어할 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)