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1. (WO2014168339) DISPOSITIF D'ÉMISSION DE LUMIÈRE ULTRAVIOLETTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/168339    N° de la demande internationale :    PCT/KR2014/001879
Date de publication : 16.10.2014 Date de dépôt international : 07.03.2014
CIB :
H01L 33/04 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : SEOUL VIOSYS CO., LTD. [KR/KR]; 1B-36, 65-16, Sandan-ro 163beon-gil, Danwon-gu, Ansan-si Gyeonggi-do 425-851 (KR)
Inventeurs : CHOI, Hyo Shik; (KR).
HWANG, Jung Hwan; (KR).
HAN, Chang Suk; (KR)
Mandataire : AIP PATENT & LAW FIRM; 30-1, Teheran-ro 14-gil Gangnam-gu Seoul 135-935 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2013-0040513 12.04.2013 KR
Titre (EN) ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'ÉMISSION DE LUMIÈRE ULTRAVIOLETTE
(KO) 자외선 발광 소자
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an ultraviolet light-emitting device. The light-emitting device includes: an n-type contact layer including a GaN layer; a p-type contact layer including an AlGaN or AlInGaN layer; and an active region of multiple quantum well structure positioned between the n-type contact layer and the p-type contact layer. In addition, the active region of multiple quantum well structure includes a GaN or InGaN layer with a thickness less than 2nm, radiating an ultraviolet ray with a peak wavelength of 340nm to 360nm.
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif d'émission de lumière ultraviolette. Le dispositif d'émission de lumière ultraviolette comprend : une couche de contact de type n qui comprend une couche de nitrure de gallium (GaN); une couche de contact de type p qui comprend une couche de nitrure d'aluminium et de gallium (AlGaN) ou de nitrure d'aluminium, d'indium et de gallium (AlInGaN); et une région active d'une structure à multiples puits quantiques positionnée entre la couche de contact de type n et la couche de contact de type p. De plus, la région active de la structure à multiples puits quantiques comprend une couche de nitrure de gallium (GaN) ou de nitrure d'indium et de gallium (InGaN) ayant une épaisseur inférieure à 2 nm, émettant un rayonnement ultraviolet ayant une longueur d'onde maximale comprise entre 340 nm et 360 nm.
(KO)자외선 발광 소자가 개시된다. 이 발광 소자는, GaN층을 포함하는 n형 콘택층; AlGaN층 또는 AlInGaN층을 포함하는 p형 콘택층; 및 n형 콘택층과 p형 콘택층 사이에 위치하는 다중양자우물 구조의 활성영역을 포함한다. 나아가, 다중양자우물 구조의 활성영역은 2nm 미만의 두께를 갖는 GaN 또는 InGaN 우물층을 포함하며, 340nm 내지 360nm 범위 내의 피크 파장을 갖는 자외선을 방출한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)