WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014168096) DISPOSITIF ALD SEMI-CONTINU ROTATIF ET PROCÉDÉ ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/168096    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/060027
Date de publication : 16.10.2014 Date de dépôt international : 04.04.2014
CIB :
C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Déposants : MURAKAWA Shigemi [JP/JP]; (JP)
Inventeurs : MURAKAWA Shigemi; (JP)
Mandataire : IZUMI Junichi; IZUMI INTERNATIONAL PATENT OFFICE 6-C TAKUEI Yokohama-nishiguchi Bldg. 30-5, Tsuruyacho 3-chome Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2210835 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-080037 07.04.2013 JP
Titre (EN) ROTATING SEMI-BATCH ALD DEVICE AND PROCESS
(FR) DISPOSITIF ALD SEMI-CONTINU ROTATIF ET PROCÉDÉ ASSOCIÉ
(JA) 回転型セミバッチALD装置およびプロセス
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a rotating semi-batch ALD device and process which ensure high productivity, minimal particle formation, low gas consumption and high coverage during the production of semiconductors, liquid crystals, LEDs and/or solar cells. The rotating semi-batch ALD device and ALD process are characterized in that: a reaction gas supply means is configured from a shower plate for evenly discharging gas, a cavity for allowing gas to flow down gradually, and a partition wall surrounding the shower plate and the cavity; and a purge gas supply means is configured from a shower plate that causes gas to flow evenly at a high flow velocity in the transverse direction in the narrow gap between the purge gas supply means and substrates being treated; and/or all of the reaction gas and purge gas supply means have a structure in which the means are surrounded by evacuation grooves; and/or different reaction gas supply means are positioned so as to be separated by a distance equal to or greater than the diameter of the substrates being treated; and/or the device has a structure in which an air cushion and a holding means such as a spring mechanism are combined in order to control the gap with a high level of precision; and/or the susceptor rotation speed and the timing for starting/ending the supply of each reaction gas are controlled according to the number of substrates being treated and the configuration of the gas supply means; and/or the substrate rotation speed is controlled so that the time during which the substrates being treated are exposed to the reaction gas is maintained longer than the ALD saturation reaction time, which is determined from the maximum aspect ratio of the surface pattern on the substrates being treated.
(FR)La présente invention concerne un dispositif ALD semi-continu rotatif et un procédé associé permettant de garantir une productivité élevée, une formation de particules minimale, une faible consommation de gaz et un taux de couverture élevé lors de la production de semi-conducteurs, de cristaux liquides, de diodes électroluminescentes et/ou de cellules solaires. Ce dispositif ALD semi-continu rotatif et ce procédé sont caractérisés en ce qu'un moyen d'alimentation en gaz de réaction comprend une plaque d'arrosage assurant une distribution homogène du gaz, une cavité permettant au gaz de s'écouler graduellement vers le bas et une cloison entourant la plaque d'arrosage et la cavité; et en ce qu'un moyen d'alimentation en gaz de purge comprend une plaque d'arrosage qui permet d'obtenir un écoulement homogène du gaz à un haut débit dans la direction transversale dans l'interstice étroit entre le moyen d'alimentation en gaz de purge et des substrats en cours de traitement; et/ou les moyens d'alimentation en gaz de réaction et en gaz de purge présentent tous une structure telle qu'ils sont entourés par des rainures d'évacuation; et/ou différents moyens d'alimentation en gaz de réaction sont positionnés de façon à être séparés par une distance égale ou supérieure au diamètre des substrats en cours de traitement; et/ou le dispositif a une structure qui combine un coussin d'air avec un moyen de retenue tel qu'un mécanisme à ressort afin de réguler l'interstice étroit avec une grande précision; et/ou la vitesse de rotation du suscepteur et le réglage du début/de la fin de l'alimentation en chaque gaz de réaction sont commandés selon le nombre de substrats en cours de traitement et la configuration des moyens d'alimentation en gaz; et/ou la vitesse de rotation des substrats est commandée de sorte que le temps pendant lequel les substrats en cours de traitement sont exposés au gaz de réaction soit plus long que le temps de réaction de saturation ALD, qui est déterminé à partir du rapport d'aspect maximal du motif de surface sur les substrats en cours de traitement.
(JA)反応ガス供給手段を、シャワープレートと、キャビティ及びそれを取り巻 く隔壁によって構成した回転型セミバッチALD装置、あるいは、当該装置 を用いたALDプロセスに関し、 パージガス手段を、被処理基板との間の狭ギャップ空間を横方向に高流速で 均一にガスを流すシャワープレートで構成したか、全ての反応ガス及びパー ジガス供給手段を真空排気溝で取り囲んだ構造をもつか、異なる反応ガス供 給手段を被処理基板の直径以上に離した配置構造をもつか、狭ギャップを精 度よく制御するためにエアクッションとスプリング機構等の保持手段を組み 合わせた構造をもつか、被処理基板の数とガス供給手段の構成に応じてサセ プタ回転数及び各々の反応ガスの供給を開始・終了するタイミングを制御す るか、被処理基板の反応ガスへの暴露時間を、被処理基板表面パターンの最 大アスペクト比から求めたALD飽和反応時間より長く維持するように基板 回転速度を制御すること、の少なくともいずれかを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)