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1. (WO2014167867) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR STRATIFIÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR STRATIFIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/167867    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/002091
Date de publication : 16.10.2014 Date de dépôt international : 11.04.2014
CIB :
H01L 25/065 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : NIKON CORPORATION [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008331 (JP)
Inventeurs : SUGAYA, Isao; (JP)
Mandataire : RYUKA IP LAW FIRM; 22F, Shinjuku L Tower, 6-1, Nishi-Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-083045 11.04.2013 JP
2013-110647 27.05.2013 JP
2013-124625 13.06.2013 JP
Titre (EN) LAMINATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND LAMINATED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR STRATIFIÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR STRATIFIÉ
(JA) 積層半導体装置および積層半導体製造方法
Abrégé : front page image
(EN)In this laminated semiconductor manufacturing method that includes a lamination step, a first wafer and a second wafer are laminated to each other such that a plurality of first circuits formed on the first wafer and a plurality of second circuits at least partially overlap each other, said second circuits being formed on the second wafer at positions corresponding to respective first circuits, and having an outer shape different from that of the first circuits. In the lamination step of the method, lamination may be performed such that first connecting sections formed in the first circuits, respectively, and second connecting sections formed in the second circuits, respectively, at the positions corresponding to the first connecting sections at least partially face each other.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un semi-conducteur stratifié comportant une étape de stratification. Avec ce procédé, une première tranche et une seconde tranche sont stratifiées l'une sur l'autre, de telle manière qu'une pluralité de premiers circuits formés sur la première tranche et qu'une pluralité de seconds circuits se recouvrent au moins en partie mutuellement, lesdits seconds circuits étant formés sur la seconde tranche dans des positions correspondant aux premiers circuits respectifs, et présentant une forme extérieure différente de celle des premiers circuits. Au cours de l'étape de stratification du procédé, une stratification peut être mise en œuvre, de telle manière que des premières sections de connexion formées dans les premiers circuits, respectivement, et des secondes sections de connexion formées dans les seconds circuits, respectivement, aux positions correspondant aux premières sections de connexion, se font face au moins en partie mutuellement.
(JA) 積層ステップを含む積層半導体製造方法であって、第1ウエハに形成された複数の第1回路と、前記複数の第1回路のそれぞれに対応する位置で第2ウエハに形成され、前記複数の第1回路のそれぞれとは異なる外形を有する複数の第2回路とがそれぞれ少なくとも部分的に重なり合うように前記第1ウエハと前記第2ウエハとを積層する。上記方法において、積層ステップは、複数の第1回路のそれぞれに形成された第1接続部と、複数の第2回路のそれぞれに第1接続部に対応する位置で形成された第2接続部とが、それぞれ少なくとも部分的に対向するように積層してもよい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)