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1. (WO2014167455) DISPOSITIF D'ÉMISSION DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEURS ÉMETTANT PAR LE HAUT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/167455    N° de la demande internationale :    PCT/IB2014/060310
Date de publication : 16.10.2014 Date de dépôt international : 31.03.2014
CIB :
H01L 33/20 (2010.01), H01L 33/44 (2010.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS N.V. [NL/NL]; High Tech Campus 5 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Inventeurs : MORAN, Brendan Jude; (NL).
DE SAMBER, Marc Andre; (NL).
BASIN, Grigoriy; (NL).
SWEEGERS, Norbertus Antonius Maria; (NL).
BUTTERWORTH, Mark Melvin; (NL).
VAMPOLA, Kenneth; (NL).
MAZUIR, Clarisse; (NL)
Mandataire : VAN EEUWIJK, Alexander Henricus Walterus; High Tech Campus Building 5 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
61/810,833 11.04.2013 US
61/900,466 06.11.2013 US
Titre (EN) TOP EMITTING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'ÉMISSION DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEURS ÉMETTANT PAR LE HAUT
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the invention include a semiconductor structure including a light emitting layer sandwiched between an n-type region and a p-type region. A growth substrate is attached to the semiconductor structure. The growth substrate has at least one angled sidewall. A reflective layer is disposed on the angled sidewall. A majority of light extracted from the semiconductor structure and the growth substrate is extracted through a first surface of the growth substrate.
(FR)Des modes de réalisation de l'invention portent sur une structure à semi-conducteurs comprenant une couche d'émission de lumière prise en sandwich entre une région de type n et une région de type p. Un substrat de croissance est fixé à la structure à semi-conducteurs. Le substrat de croissance possède au moins une paroi latérale à angle. Une couche réfléchissante est disposée sur la paroi latérale à angle. Une majorité de lumière extraite depuis la structure à semi-conducteurs et le substrat de croissance est extraite à travers une première surface du substrat de croissance.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)