WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014166707) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE DE DÉTECTION ET DÉTECTEUR TOMODENSITOMÉTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/166707    N° de la demande internationale :    PCT/EP2014/055378
Date de publication : 16.10.2014 Date de dépôt international : 18.03.2014
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 80333 München (DE)
Inventeurs : EICHENSEER, Mario; (DE).
REICHEL, Thomas; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2013 206 407.1 11.04.2013 DE
Titre (DE) HERSTELLUNGSVERFAHREN EINES SENSORCHIPS SOWIE COMPUTERTOMOGRAPHISCHER DETEKTOR
(EN) PRODUCTION METHOD OF A SENSOR CHIP AND COMPUTERIZED TOMOGRAPHY DETECTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE DE DÉTECTION ET DÉTECTEUR TOMODENSITOMÉTRIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen Sensorchip, insbesondere für computertomographische Detektoren, aufweisend einen mit einem Strahlung detektierenden Element (2) elektrisch verbundenen Analog-Digital-Wandler (10) und eine kristalline Grundplatte (1). Ausgehend von der Aufgabe die Robustheit, die Lebensdauer und den Kostenaufwand derartiger Sensorchips zu verbessern konnten vorteilhafte Lösungen gefunden werden, wobei Bestandteile des Strahlung detektierenden Elementes (2) auf einer Detektorseite (12) der kristallinen Grundplatte (1) und Bestandteile des Analog-Digital-Wandlers (10) auf einer zweiten Seite (13) der kristallinen Grundplatte (1) lithographisch integriert sind. Daran ist vorteilhaft, dass ein aufwändiges Wafer-Bonding-Verfahren vermieden werden kann und umständliche Kontaktierungszuordnungen zwischen Strahlung detektierendem Element (2) und Analog-Digital-Wandler (10) mittels Halbleitertechnologie erheblich vereinfacht werden können.
(EN)The invention relates to a sensor chip, in particular for computerized tomography detectors, having an analog-digital converter (10) electrically connected to an element (2) detecting radiation, and a crystalline base plate (1). The invention addresses the problem In order to solve the problem of improving the robustness, service life and expense of such sensor chips, advantageous solutions are found according to the invention, wherein components of the radiation-detecting element (2) are lithographically integrated on a detector side (12) of the crystalline base plate (1) and components of the analog-digital converter (10) are lithographically integrated on a second side (13) of the crystalline base plate (1). It is advantageous that an expensive wafer-bonding process can be avoided and cumbersome contacting assignments between the radiation-detecting element (2) and the analog-digital converter (10) can be significantly simplified by means of semiconductor technology.
(FR)L'invention concerne une puce de détection, destinée en particulier à des détecteurs tomodensitométriques, présentant un convertisseur analogique-numérique (10) relié électriquement à un élément (2) détectant un rayonnement et une plaque de base cristalline (1). L'objectif de l'invention est d'améliorer ce type de puce de détection en termes de robustesse, de durée de vie et de coût. À cet effet, de manière avantageuse, des composants de l'élément (2) détectant un rayonnement sont intégrés par lithographie sur un côté de détection (12) de la plaque de base cristalline (1) et des composants du convertisseur analogique-numérique (10) sur un deuxième côté (13) de la plaque de base cristalline (1). L'invention permet ainsi d'éviter de manière avantageuse un procédé onéreux de connexion sur plaquette et de simplifier considérablement l'affectation complexe des contacts entre l'élément (2) détectant un rayonnement et le convertisseur analogique-numérique (10) au moyen de la technologie des semi-conducteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)