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1. (WO2014166153) SUBSTRAT DE MATRICE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/166153    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/077177
Date de publication : 16.10.2014 Date de dépôt international : 13.06.2013
CIB :
H01L 27/02 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN).
BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.118 Jinghaiyilu, BDA Beijing 100176 (CN)
Inventeurs : YU, Haifeng; (CN).
FENG, Bin; (CN).
CUI, Xiaopeng; (CN).
LIN, Hongtao; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310123359.3 10.04.2013 CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF AND DISPLAY DEVICE THEREOF
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE DE CELUI-CI
(ZH) 阵列基板及其制造方法、显示装置
Abrégé : front page image
(EN)An array substrate and a method for manufacture thereof, and a display device. A first conductive pattern (5) connected to a low level potential, a second conductive pattern (3) on the same layer as a STV signal line (2), and an insulating layer between the first conductive pattern (5) and the second conductive pattern (3) are formed on the array substrate. The first conductive pattern (5), the insulating layer and the second conductive pattern (3) have an overlapped area to form a storage capacitor. A conductive tip (6) facing toward the second conductive pattern (3) is formed in a position, corresponding to the second conductive pattern (3), on the STV signal line (2).
(FR)La présente invention concerne un substrat de matrice et son procédé de fabrication, et un dispositif d'affichage. Un premier motif conducteur (5) connecté à un niveau de potentiel bas, un deuxième motif conducteur (3) sur la même couche qu'une ligne de signal STV (2), et une couche isolante entre le premier motif conducteur (5) et le deuxième motif conducteur (3) sont formés sur le substrat de matrice. Le premier motif conducteur (5), la couche isolante et le deuxième motif conducteur (3) ont une zone de chevauchement pour former un condensateur de stockage. Une pointe conductrice (6) dirigée vers le deuxième motif conducteur (3) est formée à une position correspondant au deuxième motif conducteur (3) sur la ligne de signal STV (2).
(ZH)一种阵列基板及其制造方法、显示装置。阵列基板上形成有连接低电平电位的第一导电图形(5)、与STV信号线(2)同层的第二导电图形(3)、位于第一导电图形(5)和第二导电图形(3)之间的绝缘层。第一导电图形(5)、绝缘层与第二导电图形(3)存在有交叠区域以形成存储电容。STV信号线(2)对应第二导电图形(3)的位置形成有朝向第二导电图形(3)的导电尖端(6)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)