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1. (WO2014165342) CONTACTS ELECTRIQUES A TRANSMISSION TUNNEL ET PROCEDES, SYSTEMES ET APPLICATIONS ASSOCIES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/165342    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/031556
Date de publication : 09.10.2014 Date de dépôt international : 24.03.2014
CIB :
H01H 35/02 (2006.01)
Déposants : ANAM NANOTECHNOLOGY, INC. [US/US]; 7935 Geary Blvd. San Francisco, CA 94121 (US)
Inventeurs : ABDEL REHEM, Jaser; (US)
Mandataire : SCHUYLER, Marc, P.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/957,999 17.07.2013 US
61/853,466 05.04.2013 US
14/154,624 14.01.2014 US
Titre (EN) TUNNELING ELECTRIC CONTACTS AND RELATED METHODS, SYSTEMS AND APPLICATIONS
(FR) CONTACTS ELECTRIQUES A TRANSMISSION TUNNEL ET PROCEDES, SYSTEMES ET APPLICATIONS ASSOCIES
Abrégé : front page image
(EN)This disclosure provides an electrical switch based on tunneling electric contacts. Electrodes of the switch are formed to have reciprocal apparent contact surfaces, each smooth such that a compressed (in contact) composite mean asperity height between these surfaces is significantly smaller than an electron tunneling length of the switch. A movement mechanism is used to physically move one or both electrodes to vary the gap between electrodes to be greater than/less than the electron tunneling length. In select embodiments, the movement mechanism is electrically actuated and is amenable to relatively high frequency operation. The nano smooth surfaces provide for a tunneling switch where current flow is not primarily dependent on contact force between electrodes, and leads to a highly conductive ON state exceeding high performance, high-contact force mechanical switches, while also being amenable to high frequency operation.
(FR)La présente invention porte sur un commutateur électrique basé sur des contacts électriques à transmission tunnel. Les électrodes du commutateur sont formées pour avoir des surfaces de contact apparentes réciproques, chacune étant lisse de telle sorte qu'une hauteur d'aspérité moyenne composite à l'état compressé (en contact) entre ces surfaces est significativement plus petite qu'une longueur de canalisation électronique du commutateur. Un mécanisme de déplacement est utilisé pour déplacer physiquement une électrode ou les deux électrodes pour faire varier l'intervalle entre les électrodes pour qu'il soit plus grand/petit que la longueur de canalisation électronique. Dans des modes de réalisation choisis, le mécanisme de déplacement est actionné électriquement et est apte à être amené à fonctionner à une fréquence relativement élevée. Les surfaces lisses à l'échelle nanoscopique autorisent un commutateur à transmission tunnel dans lequel la circulation de courant ne dépend pas principalement de la force de contact entre les électrodes, et conduit à un état passant hautement conducteur dépassant les commutateurs mécaniques à force de contact élevée, à haute performance, tout en étant également apte à être amené à fonctionner à une fréquence élevée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)