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1. (WO2014165034) DISPOSITIFS À ENRICHISSEMENT AU NITRURE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/165034    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/024191
Date de publication : 09.10.2014 Date de dépôt international : 12.03.2014
CIB :
H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : TRANSPHORM INC. [US/US]; 115 Castillian Drive Goleta, California 93117 (US)
Inventeurs : LAL, Rakesh K.; (US)
Mandataire : BOROVOY, Roger S.; Fish & Richardson P.C. P. O. Box 1022 Minneapolis, Minnesota 55440-1022 (US)
Données relatives à la priorité :
13/799,989 13.03.2013 US
Titre (EN) ENHANCEMENT-MODE III-NITRIDE DEVICES
(FR) DISPOSITIFS À ENRICHISSEMENT AU NITRURE III
Abrégé : front page image
(EN)A III-N enhancement-mode transistor includes a III-N structure including a conductive channel, source and drain contacts, and a gate electrode between the source and drain contacts. An insulator layer is over the III-N structure, with a recess formed through the insulator layer in a gate region of the transistor, with the gate electrode at least partially in the recess. The transistor further includes a field plate having a portion between the gate electrode and the drain contact, the field plate being electrically connected to the source contact. The gate electrode includes an extending portion that is outside the recess and extends towards the drain contact. The separation between the conductive channel and the extending portion of the gate electrode is greater than the separation between the conductive channel and the portion of the field plate that is between the gate electrode and the drain contact.
(FR)Cette invention concerne une structure de transistor à enrichissement au N-III, comprenant un canal conducteur, des contacts de source et de drain, et une électrode grille disposée entre les contacts de source et de drain. Une couche isolante est disposée sur la structure au N-III, un renfoncement étant formé à travers la couche isolante dans une région de grille du transistor, l'électrode grille étant au moins partiellement disposée dans le renfoncement. Ledit transistor comprend en outre une plaque de champ présentant une partie disposée entre l'électrode grille et le contact de drain, la plaque de champ étant en contact électrique avec le contact de source. L'électrode grille comprend une partie prolongée qui disposée en dehors du renfoncement et s'étend vers le contact de drain. La distance séparant le canal conducteur de la partie prolongée de l'électrode grille est supérieure à celle qui sépare le canal conducteur de la partie de la plaque de champ située entre l'électrode grille et le contact de drain.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)