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1. (WO2014165005) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'IGZO PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE DANS UN GAZ OXYDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/165005    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/024105
Date de publication : 09.10.2014 Date de dépôt international : 12.03.2014
CIB :
H01L 31/032 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H01L 31/0392 (2006.01)
Déposants : INTERMOLECULAR, INC [US/US]; 3011 North First Street San Jose, California 95134 (US)
Inventeurs : LIANG, Haifan; (US).
CHEN, Charlene; (US).
LE, Minh Huu; (US).
LEE, Sang; (US).
VAN DUREN, Jeroen; (US)
Mandataire : HELMS, Aubrey L., Jr.; 3011 North First Street San Jose, California 95134 (US)
Données relatives à la priorité :
61/778,986 13.03.2013 US
14/136,000 20.12.2013 US
Titre (EN) METHOD OF FABRICATING IGZO BY SPUTTERING IN OXIDIZING GAS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'IGZO PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE DANS UN GAZ OXYDANT
Abrégé : front page image
(EN)In some embodiments, oxidants such as ozone (O3) and/or nitrous oxide (N2O) are used during the reactive sputtering of metal-based semiconductor layers used in TFT devices. The O3 and N2O gases are stronger oxidants and result in a decrease in the concentration of oxygen vacancies within the metal-based semiconductor layer. The decrease in the concentration of oxygen vacancies may result in improved stability under conditions of negative bias illumination stress (NBIS).
(FR)La présente invention, dans certains modes de réalisation, concerne l'utilisation d'oxydants tels que l'ozone (O3) et/ou l'oxyde nitreux (N2O) pendant la pulvérisation cathodique réactive de couches de semiconducteur à base de métal utilisées dans les dispositifs TFT. Les gaz O3 et N2O sont de puissants oxydants et provoquent une diminution de la concentration des trous d'oxygène au sein de la couche de semiconducteur à base de métal. La diminution de la concentration des trous d'oxygène peut entraîner une stabilité améliorée sous des conditions de contrainte d'éclairage à polarisation négative (NBIS).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)