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1. (WO2014164894) QUALIFICATION MULTI-ÉTAGES DE MASQUES EN ULTRAVIOLET EXTRÊME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/164894    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/023721
Date de publication : 09.10.2014 Date de dépôt international : 11.03.2014
CIB :
G06F 17/50 (2006.01), G06F 1/00 (2006.01), G03F 1/84 (2012.01)
Déposants : DINO TECHNOLOGY ACQUISITION LLC [US/US]; One Technology Drive Milpitas, CA 95035 (US)
Inventeurs : PANG, Linyong; (US)
Mandataire : KWAN & OLYNICK LLP; 2000 Hearst Avenue, Suite 305 Berkeley, CA 94709 (US)
Données relatives à la priorité :
13/794,330 11.03.2013 US
Titre (EN) MULTISTAGE EXTREME ULTRA-VIOLET MASK QUALIFICATION
(FR) QUALIFICATION MULTI-ÉTAGES DE MASQUES EN ULTRAVIOLET EXTRÊME
Abrégé : front page image
(EN)A technique for inspecting, qualifying and repairing photo-masks for use at extreme ultra-violet (EUV) wavelengths is described. In this technique, multiple images of a substrate and/or a blank that includes multiple layers deposited on the substrate are measured and compared to identify first potential defects. Using information associated with the first potential defects, such as locations of the first potential defects, another image of the EUV photo-mask that includes a mask pattern defined in an absorption layer, which is deposited on top of the multiple layers, is measured. Based on the other image and the first potential defects, second potential defects in the EUV photo-mask are identified. Next, a qualification condition of the EUV photo-mask is determined based on the first potential defects and the second potential defects.
(FR)L'invention concerne une technique de contrôle, de qualification et de réparation de masques photographiques, destinée à être utilisée aux longueurs d'onde de l'ultraviolet extrême (EUV). Dans cette technique, des images multiples d'un substrat et/ou d'une découpe vierge comprenant des couches multiples déposées sur le substrat sont mesurées et comparées pour identifier des premiers défauts potentiels. En utilisant des informations associées aux premiers défauts potentiels, comme les emplacements des premiers défauts potentiels, une autre image du masque photographique EUV comprenant un motif de masque défini dans une couche d'absorption, qui est déposée par-dessus les couches multiples, est mesurée. En se basant sur l'autre image et sur les premiers défauts potentiels, des deuxièmes défauts potentiels du masque photographique EUV sont identifiés. Ensuite, une condition de qualification du masque photographique EUV est déterminée en se basant sur les premiers défauts potentiels et sur les deuxièmes défauts potentiels.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)