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1. (WO2014164170) AMPLIFICATEURS À CONTRE-RÉACTION INDUCTIVE, GAIN CONFIGURABLE ET ADAPTATION D'ENTRÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/164170    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/020994
Date de publication : 09.10.2014 Date de dépôt international : 06.03.2014
CIB :
H03F 1/08 (2006.01), H03F 1/56 (2006.01), H03F 3/189 (2006.01), H03F 3/45 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : YOUSSEF, Ahmed A.; (US).
ABDELHALEM, Sherif; (US).
GHANY, Ehab A. Abdel; (US).
CHANG, Li-Chung; (US)
Mandataire : TEMPEL, Michael J.; Smith Risley Tempel Santos LLC Two Ravinia Drive, Suite 700 Atlanta, Georgia 30346 (US)
Données relatives à la priorité :
13/794,110 11.03.2013 US
Titre (EN) AMPLIFIERS WITH INDUCTIVE DEGENERATION AND CONFIGURABLE GAIN AND INPUT MATCHING
(FR) AMPLIFICATEURS À CONTRE-RÉACTION INDUCTIVE, GAIN CONFIGURABLE ET ADAPTATION D'ENTRÉE
Abrégé : front page image
(EN)Amplifiers with inductive degeneration and configurable gain and input matching are disclosed. In an exemplary design, an apparatus includes a gain transistor, an inductor, and an input matching circuit for an amplifier. The gain transistor has a variable gain determined based on its bias current. The inductor is coupled between the gain transistor and circuit ground. The input matching circuit is selectively coupled to the gain transistor based on the variable gain of the gain transistor. For example, the input matching circuit may be coupled to the gain transistor in a low-gain mode and decoupled from the gain transistor in the high-gain mode. In an exemplary design, the input matching circuit includes a resistor, a capacitor, and a second transistor coupled in series. The resistor is used for input matching of the amplifier. The second transistor couples or decouples the resistor to or from the gain transistor.
(FR)L'invention porte sur des amplificateurs à contre-réaction inductive, gain configurable et adaptation d'entrée. Dans un exemple de conception, un appareil comprend un transistor de gain, une bobine d'inductance et un circuit d'adaptation d'entrée pour un amplificateur. Le transistor de gain possède un gain variable déterminé sur la base de son courant de polarisation. La bobine d'inductance est couplée entre le transistor de gain et la masse du circuit. Le circuit d'adaptation d'entrée est sélectivement couplé au transistor de gain sur la base du gain variable du transistor de gain. Par exemple, le circuit d'adaptation d'entrée peut être couplé au transistor de gain dans un mode à faible gain, et découplé du transistor de gain dans un mode à fort gain. Dans un exemple de conception, le circuit d'adaptation d'entrée comprend une résistance, un condensateur et un second transistor couplés en série. La résistance est utilisée pour une adaptation d'entrée de l'amplificateur. Le second transistor couple la résistance au transistor de gain ou l'en découple.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)