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1. (WO2014163791) PLATE-FORME DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR MUNIE DE CHAMBRES DE TRAITEMENT SIMPLES ET JUMELÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/163791    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/016476
Date de publication : 09.10.2014 Date de dépôt international : 14.02.2014
CIB :
H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : MERRY, Nir; (US).
RICE, Michael, Robert; (US).
KOSHTI, Sushant, S.; (US).
HUDGENS, Jeffrey, C.; (US)
Mandataire : DUGAN, Brian, M.; Dugan & Dugan, Pc 245 Saw Mill River Road, Suite 309 Hawthorne, NY 10532 (US)
Données relatives à la priorité :
61/778,206 12.03.2013 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING PLATFORM WITH SINGLE AND TWINNED PROCESSING CHAMBERS
(FR) PLATE-FORME DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR MUNIE DE CHAMBRES DE TRAITEMENT SIMPLES ET JUMELÉES
Abrégé : front page image
(EN)A transfer chamber for semiconductor device manufacturing includes (1) a plurality of sides that define a region configured to maintain a vacuum level and allow transport of substrates between processing chambers, the plurality of sides defining a first portion and a second portion of the transfer chamber and including (a) a first side that couples to two twinned processing chambers; and (b) a second side that couples to a single processing chamber; (2) a first substrate handler located in the first portion of the transfer chamber; (3) a second substrate handler located in the second portion of the transfer chamber; and (4) a hand-off location configured to allow substrates to be passed between the first portion and the second portion of the transfer chamber using the first and second substrate handlers. Method aspects are also provided.
(FR)L'invention concerne une chambre de transfert pour la fabrication d'un dispositif semiconducteur comprenant (1) une pluralité de côtés qui définissent une région configurée pour maintenir un niveau de vide et permettre le transport de substrats entre les chambres de traitement, la pluralité de côtés définissant une première portion et une deuxième portion de la chambre de transfert et incluant (a) un premier côté qui se connecte à deux chambres de traitement jumelées ; et (b) un deuxième côté qui se connecte à une chambre de traitement simple ; (2) un premier manipulateur de substrat situé dans la première portion de la chambre de transfert ; (3) un deuxième manipulateur de substrat situé dans la deuxième portion de la chambre de transfert ; et (4) un emplacement de passage configuré pour pouvoir faire passer les substrats entre la première portion et la deuxième portion de la chambre de transfert en utilisant les premier et deuxième manipulateurs de substrat. L'invention concerne également les aspects d'un procédé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)