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1. (WO2014163367) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHE MINCE À BASE DE CUIVRE/INDIUM/GALLIUM/SÉLÉNIUM AU MOYEN D'UNE ÉTAPE DE SÉLÉNISATION À HAUTE PRESSION ET CELLULE SOLAIRE METTANT EN ŒUVRE LADITE COUCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/163367    N° de la demande internationale :    PCT/KR2014/002767
Date de publication : 09.10.2014 Date de dépôt international : 01.04.2014
CIB :
H01L 31/0749 (2012.01), H01L 31/042 (2014.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH [KR/KR]; 152, Gajeong-ro Yuseong-gu Daejeon 305-343 (KR)
Inventeurs : EO, Young Joo; (KR).
CHO, Jun Sik; (KR).
PARK, Joo Hyung; (KR).
YOON, Kyung Hoon; (KR).
AHN, SeJin; (KR).
GWAK, Jihye; (KR).
YUN, Jae Ho; (KR).
CHO, Ara; (KR).
SHIN, Kee Shik; (KR).
AHN, SeoungKyu; (KR).
YOU, Jin Su; (KR).
PARK, Sang Hyun; (KR)
Mandataire : HAN, Sang Soo; 2F., 179, Baumoe-ro Seocho-gu Seoul 137-888 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2013-0036156 03.04.2013 KR
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING CI(G)S THIN FILM BY USING HIGH-PRESSURE SELENIZATION STEP AND SOLAR CELL USING SAME
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHE MINCE À BASE DE CUIVRE/INDIUM/GALLIUM/SÉLÉNIUM AU MOYEN D'UNE ÉTAPE DE SÉLÉNISATION À HAUTE PRESSION ET CELLULE SOLAIRE METTANT EN ŒUVRE LADITE COUCHE
(KO) 고압력 셀렌화 공정을 이용한 CI(G)S 박막 제조 방법과 이를 이용한 태양전지.
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for increasing the efficiency of a selenization step in a process for manufacturing CI(G)S used in a solar cell, and more particularly, to enabling high-pressure selenization through the selenization step by inserting a CI(G)S-based precursor thin film into a specific container or a chamber, injecting selenium (Se) into the container or the chamber, and increasing the temperature. The present invention provides the advantages of reducing loss of selenium (Se) during the high-pressure selenization by increasing partial selenium (Se) pressure in the specific container or the chamber, increasing selenization efficiency, and reducing heat treatment time. To this end, the distance between the CI(G)S-based precursor thin film and the chamber is between 6 to 20mm, wherein selenium (Se) is injected into the chamber, and the temperature is increased by means of a heat-emitting body positioned on one side or a front side on the inside of the chamber for the heat treatment for selenization.
(FR)Cette invention concerne un procédé qui améliore l'efficacité d'une étape de sélénisation dans un procédé de fabrication d'un matériau à base de CI(G)S utilisé dans une cellule solaire, et qui assure plus particulièrement une sélénisation à haute pression lors de l'étape de sélénisation par insertion d'une couche mince de précurseur à base de CI(G)S dans un contenant ou une chambre spécifique, injection de sélénium (Se) dans le contenant ou la chambre et augmentation de la température. L'invention assure les avantages de réduire les pertes de sélénium (Se) au cours de la sélénisation à haute pression par accroissement partiel de la pression du sélénium (Se) dans le contenant ou la chambre spécifique, d'accroître l'efficacité de la sélénisation et de réduire la durée de traitement. A cette fin, la distance entre la couche mince de précurseur à base de CI(G)S et la chambre est réglée de façon à aller de 6 à 20 mm. Le sélénium (Se) est injecté dans la chambre et la température est augmentée au moyen d'un corps émettant de la chaleur disposé sur un côté latéral ou avant à l'intérieur de la chambre en vue du traitement thermique pour la sélénisation.
(KO)태양전지에 사용되는 CI(G)S의 제조 과정 중 셀렌화 공정의 효율을 높이기 위한 방법으로 더욱 구체적으로는 CI(G)S계 전구체 박막을 일정 콘테이너 혹은 챔버에 삽입하여, 상기 콘테이너 혹은 챔버 내에 셀레늄(Se)을 주입하고 온도를 올려 셀렌화하는 공정을 통해 고압력 셀렌화가 가능한 것에 관한 것으로 일정 콘테이너 혹은 챔버 내에 셀레늄(Se) 분압을 높여 고압력 셀렌화를 통해 손실되는 셀레늄(Se)을 줄일 수 있고, 셀렌화의 효율을 높이고 열처리의 시간을 단축시킬 수 있는 효과를 나타낸다. 이를 위해 상기 CI(G)S계 전구체 박막과 상기 챔버(Chamber)의 간격이 6 mm 내지 20 mm이고, 상기 챔버(Chamber)에 셀레늄(Se)을 주입하며, 셀렌화를 위한 열처리는 상기 챔버(Chamber)의 내측 일면 또는, 내측 전면에 위치하는 발열체에 의해 온도를 증가시킨다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)