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1. (WO2014163188) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/163188    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/059989
Date de publication : 09.10.2014 Date de dépôt international : 04.04.2014
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), B23K 26/00 (2014.01), B23K 26/40 (2014.01), C09J 183/06 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
Inventeurs : TACHIOKA, Masaaki; (JP).
NAKAJIMA, Tsunehiro; (JP)
Mandataire : OKUYAMA, Shoichi; 7th Floor, Akasaka Eight One Building, 13-5, Nagata-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000014 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-078570 04.04.2013 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体デバイスの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which uses a method for bonding a supporting substrate to a semiconductor wafer, said method being applicable to a high-temperature process at around 1,000°C. A method for manufacturing a semiconductor device, which comprises at least: a back surface bonding step wherein at least a part of the back surface of a semiconductor wafer and a supporting substrate are bonded with each other with use of a silane coupling agent; a functional structure forming step wherein a functional structure is formed on the front surface of the semiconductor wafer; a fracture layer forming step wherein a fracture layer is formed in at least a part of the outer circumferential portion of the bonding interface between the semiconductor wafer and the supporting substrate by putting the collection point of the laser light, which transmits through the semiconductor wafer, on the bonding interface and irradiating the bonding interface with the laser light; a fracture layer separating step wherein the fracture layer is separated; a bonding interface separating step wherein the bonding interface is separated; and a back surface processing step wherein the back surface of the semiconductor wafer is subjected to back surface processing.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé permettant de fabriquer un dispositif à semi-conducteurs, ledit procédé utilisant un procédé permettant de lier un substrat de support à une plaquette de semi-conducteur, ledit procédé pouvant être appliqué à un traitement à haute température à environ 1 000 °C. Le procédé permettant de fabriquer un dispositif à semi-conducteurs comprend au moins : une étape de liaison de surface arrière au cours de laquelle au moins une partie de la surface arrière d'une plaquette de semi-conducteur et un substrat de support sont liés les uns aux autres à l'aide d'un agent de couplage de silane ; une étape de formation de structure fonctionnelle au cours de laquelle une structure fonctionnelle est formée sur la surface avant de la plaquette de semi-conducteur ; une étape de formation de couche de rupture au cours de laquelle une couche de rupture est formée sur au moins une partie de la partie circonférentielle externe de l'interface de liaison entre la plaquette de semi-conducteur et le substrat de support en plaçant le point de collecte de la lumière laser, qui est transmis au moyen de la plaquette de semi-conducteur, sur l'interface de liaison et en irradiant l'interface de liaison avec la lumière laser ; une étape de séparation de couche de rupture au cours de laquelle la couche de rupture est séparée ; une étape de séparation d'interface de liaison au cours de laquelle l'interface de liaison est séparée ; et une étape de traitement de surface arrière au cours de laquelle la surface arrière de la plaquette de semi-conducteur est soumise à un traitement de surface arrière.
(JA) 1000℃程度の高温プロセスに適用可能な半導体ウエハに支持基板を接着する方法を用いた半導体デバイスの製造方法を提供すること。 半導体デバイスの製造方法であって、シランカップリング剤を用いて、半導体ウエハの裏面の少なくとも一部と、支持基板とを接着する裏面接着工程と、前記半導体ウエハのおもて面に機能構造を形成する機能構造形成工程と、前記半導体ウエハと前記支持基板との接着界面に、半導体ウエハを透過するレーザー光の集光点を合わせて照射して、前記接着界面の外周部の少なくとも一部に破断層を形成する破断層形成工程と、前記破断層を剥離する破断層剥離工程と、前記接着界面を剥離する接着界面剥離工程と、前記半導体ウエハの裏面に裏面処理をする裏面処理工程とを少なくとも含む半導体デバイスの製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)