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1. (WO2014163056) PROCÉDÉ DE CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL À BASE DE β-Ga2O3

Pub. No.:    WO/2014/163056    International Application No.:    PCT/JP2014/059572
Publication Date: 9 oct. 2014 International Filing Date: 31 mars 2014
IPC: C30B 29/16
C30B 15/34
Applicants: TAMURA CORPORATION
株式会社タムラ製作所
KOHA CO., LTD.
株式会社光波
Inventors: WATANABE, Shinya
渡辺 信也
IIZUKA, Kazuyuki
飯塚 和幸
DOIOKA, Kei
土井岡 慶
MATSUBARA, Haruka
松原 春香
MASUI, Takekazu
増井 建和
Title: PROCÉDÉ DE CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL À BASE DE β-Ga2O3
Abstract:
L'invention concerne un procédé de croissance d'un monocristal à base de β-Ga2O3, avec lequel il devient possible de faire croître un monocristal à base de β-Ga2O3 ayant une petite variation de structure cristalline et ayant également une haute qualité dans la direction de l'axe b. Dans un mode de réalisation, un procédé de croissance d'un monocristal à base de β-Ga2O3 est proposé, lequel comprend une étape de croissance d'un monocristal à base de β-Ga2O3 contenant du Sn en forme de plaque plate dans la direction de l'axe b en utilisant un germe cristallin.