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1. (WO2014162998) PROCÉDÉ PERMETTANT DE GRAVER UN FILM PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/162998    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/059123
Date de publication : 09.10.2014 Date de dépôt international : 28.03.2014
CIB :
H01L 41/332 (2013.01), H01L 21/308 (2006.01), H01L 41/047 (2006.01), H01L 41/187 (2006.01), H01L 41/29 (2013.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : FUJII, Takamichi; (JP).
MUKAIYAMA, Akihiro; (JP)
Mandataire : MATSUURA, Kenzo; Matsuura & Associates, P.O. Box 176, Shinjuku Sumitomo Bldg. 23F, 6-1, Nishi-shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630223 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-076021 01.04.2013 JP
Titre (EN) METHOD FOR ETCHING PIEZOELECTRIC FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE GRAVER UN FILM PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電体膜のエッチング方法および圧電素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)In a method for etching a piezoelectric film and method for manufacturing same, a piezoelectric film (14) is formed on a substrate (10) having a lower electrode (12) formed thereon, a metal film (16) is formed to a thickness of 20 to 300 nm, a patterned resist film (18) is formed, the metal film (16) is etched using a first etchant against which the piezoelectric film (14) has etching resistance, and the piezoelectric film (14) is etched using a second etchant against which the metal film (16) has etching resistance.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé permettant de graver un film piézoélectrique et à un procédé permettant de fabriquer un élément piézoélectrique, un film piézoélectrique (14) étant formé sur un substrat (10) qui comporte une électrode inférieure (12) formée sur ce dernier, un film métallique (16) étant formé avec une épaisseur comprise entre 20 et 300 nm, un film de réserve à motifs (18) étant formé, le film métallique (16) étant gravé à l'aide d'un premier agent de gravure contre lequel le film piézoélectrique (14) présente une résistance à la gravure et le film piézoélectrique (14) est gravé à l'aide d'un second agent de gravure contre lequel le film métallique (16) présente une résistance à la gravure.
(JA) 圧電体膜のエッチング方法および製造方法は、下部電極12が形成された基板10上に圧電体膜14を形成し、金属膜16を、20nm以上300nm以下の膜厚で形成し、パターニングされたレジスト膜18を形成し、金属膜16を、圧電体膜14がエッチング耐性を有する第1のエッチング液でエッチングし、圧電体膜14を、金属膜16がエッチング耐性を有する第2のエッチング液でエッチングする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)