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1. (WO2014162912) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FLUIDE DE TRAITEMENT ORGANIQUE POUR MODELAGE DE FILM DE RÉSERVE DE TYPE AMPLIFICATION CHIMIQUE, FLUIDE DE TRAITEMENT ORGANIQUE POUR MODELAGE DE FILM DE RÉSERVE DE TYPE AMPLIFICATION CHIMIQUE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/162912    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/058118
Date de publication : 09.10.2014 Date de dépôt international : 24.03.2014
CIB :
G03F 7/32 (2006.01), G03F 7/038 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : YAMANAKA Tsukasa; (JP).
KAWAMOTO Takashi; (JP).
IGUCHI Naoya; (JP)
Mandataire : TAKAMATSU Takeshi; Koh-Ei Patent Firm, Toranomon East Bldg. 9F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-076735 02.04.2013 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC PROCESSING FLUID FOR PATTERNING OF CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE RESIST FILM, ORGANIC PROCESSING FLUID FOR PATTERNING OF CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE RESIST FILM, PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FLUIDE DE TRAITEMENT ORGANIQUE POUR MODELAGE DE FILM DE RÉSERVE DE TYPE AMPLIFICATION CHIMIQUE, FLUIDE DE TRAITEMENT ORGANIQUE POUR MODELAGE DE FILM DE RÉSERVE DE TYPE AMPLIFICATION CHIMIQUE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の製造方法、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing an organic processing fluid for patterning of a chemical amplification type resist film that has a process for making a fluid containing an organic solvent pass through a filtering device having a fluid inlet part, a fluid outlet part, and a filtration filter membrane provided on the inside of a flow path that connects the fluid inlet part and the fluid outlet part, wherein: the absolute value (|TI - TO|) for the difference between a temperature (TI) for the fluid at the fluid inlet part and a temperature (TO) of the fluid at the fluid outlet part is 3°C or less; the filtration rate for the fluid in the filtering device is 0.5 L/min/m2 or greater; and the filtration pressure for the fluid in the filtering device is 0.1 MPa or less. With the method for manufacturing an organic processing fluid for patterning of a chemical amplification type resist film it is possible to reduce occurrences of particles in negative type pattern formation technology in which fine (for example, 30 nm nodes or less) patterns are formed using, in particular, organic developers. Also provided are an organic processing fluid for patterning a chemical amplification type resist film that uses this method, a pattern forming method, a method for manufacturing an electronic device, and an electronic device.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un fluide de traitement organique pour modelage de film de réserve de type amplification chimique qui comporte un processus dans lequel un fluide contenant un solvant organique passe à travers un dispositif de filtration ayant une partie d'admission de fluide, une partie de refoulement de fluide, et une membrane filtrante de filtration ménagée sur l'intérieur d'un chemin d'écoulement qui relie la partie d'admission de fluide et la partie de refoulement de fluide, où : la valeur absolue (|TI - TO|) de la différence entre une température (TI) du fluide au niveau de la partie d'admission de fluide et une température (TO) du fluide au niveau de la partie de refoulement de fluide est de 3 °C ou moins ; la cadence de filtration du fluide dans le dispositif de filtration est 0,5 L/min/m2 ou plus ; et la pression de filtration du fluide dans le dispositif de filtration est de 0,1 MPa ou moins. Avec le procédé de fabrication d'un fluide de traitement organique pour modelage de film de réserve de type amplification chimique, il est possible de réduire des occurrences de particules dans la technologie de formation de motif de type négatif dans laquelle des motifs fins (par exemple, des nœuds de 30 nm ou moins) sont formés en utilisant, en particulier, des révélateurs organiques. L'invention concerne également un fluide de traitement organique pour modelage d'un film de réserve de type amplification chimique qui utilise ce procédé, un procédé de formation de motif, un procédé de fabrication d'un dispositif électronique, et un dispositif électronique.
(JA) 液入口部と、液出口部と、前記液入口部と前記液出口部とを接続する流路内に設けられた濾過フィルター膜とを有する濾過装置に、有機溶剤を含有する液を通過させる工程を有する、化学増幅型レジスト膜のパターンニング用有機系処理液の製造方法であって、前記液入口部における前記液の温度(T)と、前記液出口部における前記液の温度(T)との差の絶対値(|T-T|)が、3℃以下であり、前記濾過装置における前記液の濾過速度が0.5L/分/m以上であり、前記濾過装置における前記液による濾過圧力が0.1MPa以下である、化学増幅型レジスト膜のパターンニング用有機系処理液の製造方法により、特に、有機系現像液を用いて微細化(例えば、30nmノード以下)パターンを形成するネガ型パターン形成技術において、パーティクルの発生を低減可能な、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の製造方法、並びに、これを用いた化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)