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1. (WO2014162208) POINTS QUANTIQUES SEMI-CONDUCTEURS À ALLIAGE DE CHALCOGÉNURE DE ZINC DES GROUPES III À V
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/162208    N° de la demande internationale :    PCT/IB2014/001045
Date de publication : 09.10.2014 Date de dépôt international : 13.03.2014
CIB :
C09K 11/70 (2006.01), C09K 11/02 (2006.01)
Déposants : NANOCO TECHNOLOGIES, LTD. [GB/GB]; 46 Grafton Street Manchester M13 9NT (GB)
Inventeurs : DANIELS, Steven; (GB).
HARRIS, James; (GB).
GLARVEY, Paul, Anthony; (GB).
ORCHARD, Katherine; (GB).
NARAYANASWAMY, Arun; (GB)
Mandataire : DAUNCEY, Mark, Peter; Marks & Clerk LLP 1 New York Street Manchester M1 4HD (GB)
Données relatives à la priorité :
61/788,856 15.03.2013 US
Titre (EN) GROUP III-V/ZINC CHALCOGENIDE ALLOYED SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS
(FR) POINTS QUANTIQUES SEMI-CONDUCTEURS À ALLIAGE DE CHALCOGÉNURE DE ZINC DES GROUPES III À V
Abrégé : front page image
(EN)A scalable method for the manufacture of narrow, bright, monodisperse, photo-luminescent quantum dots prepared in the presence of a Group ll-VI molecular seeding cluster fabricated in situ from a zinc salt and a thiol or selenol compound. Exemplary quantum dots have a core containing indium, phosphorus, zinc and either sulfur or selenium.
(FR)L'invention concerne un procédé évolutif de fabrication de points quantiques photoluminescents, monodispersés, brillants et étroits préparés en présence d'un agrégat d'amorçage moléculaire des groupes II à VI fabriqué in situ à partir d'un sel de zinc et d'un composé thiol ou sélénol. Des exemples de points quantiques comprennent un noyau contenant de l'indium, du phosphore, du zinc et soit du soufre, soit du sélénium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)