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1. (WO2014161463) PROCÉDÉ DE FORMATION DE COUCHE D'OXYDE DE GRILLE D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/161463    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/074496
Date de publication : 09.10.2014 Date de dépôt international : 31.03.2014
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. [CN/CN]; No. 8 Xinzhou Road, New District Wuxi, Jiangsu 214028 (CN)
Inventeurs : Li, Jian; (CN)
Mandataire : WUXI SINO INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY, LTD.; Room 303, Building 5, Science & Education Industrial Park No.100 Jinxi Road, Binhu District Wuxi, Jiangsu 214125 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310113334.5 02.04.2013 CN
Titre (EN) METHOD FOR FORMING GATE OXIDE LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE COUCHE D'OXYDE DE GRILLE D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 半导体器件栅氧化层的形成方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for forming a gate oxide layer of a semiconductor device, comprising: forming an oxide layer on a substrate; depositing polycrystalline silicon on the oxide layer; performing lithography and etching on the polycrystalline silicon to form polycrystalline silicon gate electrodes; performing thermal oxidation on the sidewalls of the polycrystalline silicon gate electrodes and growing silicon oxide on the sidewalls; performing lithography and etching on the oxide layer and thinning the source electrode and drain electrode regions of the oxide layer. The present invention ensures the uniformity of gate oxide layer thickness in high voltage devices, greatly improving the transverse uniformity of the gate oxide layer and thereby providing greater operative stability for high voltage devices.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'une couche d'oxyde de grille d'un dispositif à semi-conducteur, faisant appel : à la formation d'une couche d'oxyde sur un substrat; au dépôt de silicium polycristallin sur la couche d'oxyde; à l'exécution d'une lithographie et d'une attaque chimique sur le silicium polycristallin pour former des électrodes de grille au silicium polycristallin; à l'exécution d'une oxydation thermique sur les parois latérales des électrodes de grille au silicium polycristallin et à la croissance de l'oxyde de silicium sur les parois latérales; à l'exécution d'une lithographie et d'une attaque chimique sur la couche d'oxyde et à l'amincissement des régions d'électrode de source et d'électrode de drain de la couche d'oxyde. La présente invention garantit l'uniformité d'épaisseur de la couche d'oxyde de grille dans des dispositifs à haute tension, améliore grandement l'uniformité transversale de la couche d'oxyde de grille et fournit ainsi une meilleure stabilité fonctionnelle à des dispositifs à haute tension.
(ZH)本发明公开了一种半导体器件栅氧化层的形成方法,包括:在衬底上形成氧化层;在所述氧化层上沉积多晶硅;对所述多晶硅进行光刻和刻蚀,形成多晶硅栅极;对所述多晶硅栅极的侧壁进行热氧化,在所述侧壁上生长氧化硅;对所述氧化层进行光刻和刻蚀,将位于源极和漏极上的部分所述氧化层进行减薄。本发明能够保证高压器件栅氧化层厚度的均匀性,大大改善了栅氧化层的横向均匀度,使高压器件工作更加稳定。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)