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1. (WO2014161233) CIRCUIT ET MÉTHODE DE COMPENSATION DE TENSION DE SEUIL DE TFT, REGISTRE À DÉCALAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/161233    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/077779
Date de publication : 09.10.2014 Date de dépôt international : 24.06.2013
CIB :
G11C 19/28 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No. 10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : LIANG, Yinan; (CN).
MA, Lifei; (CN).
HUANGFU, Lujiang; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201310116442.8 03.04.2013 CN
Titre (EN) TFT THRESHOLD VOLTAGE COMPENSATING CIRCUIT AND METHOD, SHIFT REGISTER AND DISPLAY DEVICE
(FR) CIRCUIT ET MÉTHODE DE COMPENSATION DE TENSION DE SEUIL DE TFT, REGISTRE À DÉCALAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) TFT阈值电压补偿电路及方法、移位寄存器和显示装置
Abrégé : front page image
(EN)A TFT threshold voltage compensating circuit and method, a shift register and a display device. The compensating circuit comprises: an input end, an output end connected to the source electrode of a thin-film transistor, first to Kth resistors connected in series in sequence, a Kth connectable link and at least one first connectable link. The first to the Kth resistors, under the action of the connection or disconnection of the connectable link, commonly divide a power supply voltage input to the input and control a voltage difference between the gate electrode of the thin-film transistor and the source electrode thereof equal to the current threshold voltage thereof. Since the voltage input to the source electrode of the thin-film transistor is divided by using the voltage division circuit with the connectable link, a gate-to-source voltage of the thin-film transistor can be changed by changing a voltage of the source electrode when a voltage of the gate electrode of the thin-film transistor is unchanged, thereby controlling a leakage current thereof in an OFF state, so that the thin-film transistor can be normally turned off.
(FR)L'invention concerne un circuit de compensation de tension de seuil de TFT, un registre à décalage et un dispositif d'affichage. Le circuit de compensation comprend : une extrémité d'entrée, une extrémité de sortie raccordée à l'électrode source d'un transistor en couches minces, des première à Ke résistances connectées séquentiellement en série, une Ke liaison connectable et au moins une première liaison connectable. Les première à Ke résistances, avec l'action de connexion ou de déconnexion de la liaison connectable, divisent ensemble une entrée de tension d'alimentation électrique à l'entrée et régulent une différence de tension entre l'électrode grille du transistor en couches minces et l'électrode source de celui-ci pour qu'elle soit égale à la tension de seuil actuelle de celui-ci. Comme l'entrée de tension à l'électrode source du transistor en couches minces est divisée en utilisant le circuit de division de tension avec la liaison connectable, une tension entre la grille et la source du transistor en couches minces peut être modifiée en changeant une tension de l'électrode source lorsqu'une tension de l'électrode grille du transistor en couches minces est inchangée, ce qui régule un courant de fuite de celui-ci dans un état ARRÊT, de façon que le transistor en couches minces puisse être arrêté normalement.
(ZH)一种TFT阈值电压补偿电路及方法、移位寄存器和显示装置,所述补偿电路包括:输入端、与薄膜晶体管的源极相连的输出端、依次串联的第一至第K电阻及第K可连接链接和至少一个第一可连接链接,第一至第K电阻,在可连接链接的导通或断开的作用下,共同对输入所述输入端的电源电压进行分压,控制所述薄膜晶体管的栅极和源极之间的电压差等于其当前阈值电压。由于使用具有可连接链接的分压电路对输入薄膜晶体管的源极的电压进行分压,使得在薄膜晶体管的栅极电压不变时,可以通过改变源极的电压来改变薄膜晶体管的栅源电压,从而控制其在关断状态下的泄漏电流,使得该薄膜晶体管能够正常关断。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)