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1. (WO2014160545) CIRCUIT INTÉGRÉ DE SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT AYANT UNE INTERCONNEXION SOUS L'ISOLANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/160545    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/030553
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 17.03.2014
CIB :
H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : SILANNA SEMICONDUCTOR U.S.A., INC. [US/US]; 4350 Executive Drive, Suite 200 San Diego, California 92191 (US)
Inventeurs : STUBER, Michael A.; (US).
MOLIN, Stuart B.; (US).
BRINDLE, Chris; (US)
Mandataire : MUELLER, Heather; 12707 High Bluff Drive, Suite 200 San Diego, California 92130 (US)
Données relatives à la priorité :
13/851,926 27.03.2013 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR INTEGRATED CIRCUIT WITH INTERCONNECT BELOW THE INSULATOR
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ DE SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT AYANT UNE INTERCONNEXION SOUS L'ISOLANT
Abrégé : front page image
(EN)An integrated circuit fabricated on a semiconductor-on-insulator transferred layer is described. The integrated circuit includes an interconnect layer fabricated on the back side of the insulator. This interconnect layer connects active devices to each other through holes etched in the insulator. This structure provides extra layout flexibility and lower capacitance, thus enabling higher speed and lower cost integrated circuits.
(FR)L'invention concerne un circuit intégré fabriqué sur une couche transférée de semi-conducteur sur isolant. Le circuit intégré comprend une couche d'interconnexion fabriquée sur le côté arrière de l'isolant. Cette couche d'interconnexion connecte des dispositifs actifs les uns avec les autres par l'intermédiaire de trous traversants gravés dans l'isolant. Cette structure fournit une flexibilité d'implantation supplémentaire et une capacité inférieure, ce qui permet d'obtenir des circuits intégrés à plus grande vitesse et à plus faible coût.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)