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1. (WO2014160439) DÉPÔT DE COUCHES DIÉLECTRIQUES ANISOTROPES ADAPTÉES EN ORIENTATION AU SUBSTRAT PHYSIQUEMENT SÉPARÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/160439    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/026621
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 13.03.2014
CIB :
H01L 29/92 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01)
Déposants : INTERMOLECULAR, INC. [US/US]; 3011 North First Street San Jose, California 95134 (US)
Inventeurs : BARABASH, Sergey; (US).
PRAMANIK, Dipankar; (US)
Mandataire : HELMS, Aubrey L., Jr.; 3011 North First Street San Jose, California 95134 (US)
Données relatives à la priorité :
61/779,170 13.03.2013 US
14/137,003 20.12.2013 US
Titre (EN) ANISOTROPIC DIELECTRIC LAYERS WITH ORIENTATIONALLY MATCHED SUBSTRATE
(FR) DÉPÔT DE COUCHES DIÉLECTRIQUES ANISOTROPES ADAPTÉES EN ORIENTATION AU SUBSTRAT PHYSIQUEMENT SÉPARÉ
Abrégé : front page image
(EN)A dielectric layer can achieve a crystallography orientation similar to a base dielectric layer with a conductive layer disposed between the two dielectric layers. By providing a conductive layer having similar crystal structure and lattice parameters with the base dielectric layer, the crystallography orientation can be carried from the base dielectric layer, across the conductive layer to affect the dielectric layer. The process can be used to form capacitor structure for anisotropic dielectric materials, along the direction of high dielectric constant.
(FR)L'invention concerne une couche diélectrique qui peut permettre d'obtenir une orientation cristallographique similaire à une couche diélectrique de base, une couche conductrice étant disposée entre les deux couches diélectriques. Par fourniture d'une couche conductrice ayant une structure cristalline et des paramètres de réseau similaires à la couche diélectrique de base, l'orientation cristallographique peut être extraite de la couche diélectrique de base, à travers la couche conductrice pour influencer la couche diélectrique. Le processus peut être utilisé pour former une structure de condensateur pour matériaux diélectriques anisotropes, le long de la direction de constante diélectrique élevée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)