WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014159946) DISPOSITIF DE MICROSYSTÈME ÉLECTROMÉCANIQUE COMPRENANT UN PIÈGE À GAZ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/159946    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/025498
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 13.03.2014
CIB :
H01L 23/12 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01), B81B 7/02 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE).
SAMARAO, Ashwin [IN/US]; (US).
O'BRIEN, Gary [US/US]; (US).
FEYH, Ando [DE/US]; (US).
YAMA, Gary [US/US]; (US).
GRAHAM, Andrew [US/US]; (US).
KIM, Bongsang [KR/US]; (US).
PURKL, Fabian [DE/US]; (US)
Inventeurs : SAMARAO, Ashwin; (US).
O'BRIEN, Gary; (US).
FEYH, Ando; (US).
YAMA, Gary; (US).
GRAHAM, Andrew; (US).
KIM, Bongsang; (US).
PURKL, Fabian; (US)
Mandataire : MAGINOT, Paul, J.; Maginot, Moore & Beck LLP One Indiana Square, Suite 2200 Indianapolis, IN 46204 (US)
Données relatives à la priorité :
61/779,042 13.03.2013 US
Titre (EN) MEMS DEVICE HAVING A GETTER
(FR) DISPOSITIF DE MICROSYSTÈME ÉLECTROMÉCANIQUE COMPRENANT UN PIÈGE À GAZ
Abrégé : front page image
(EN)A microelectromechanical system (MEMS) device includes a high density getter. The high density getter includes a silicon surface area formed by porosification or by the formation of trenches within a sealed cavity of the device. The silicon surface area includes a deposition of titanium or other gettering material to reduce the amount of gas present in the sealed chamber such that a low pressure chamber is formed. The high density getter is used in bolometers and gyroscopes but is not limited to those devices.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de microsystème électromécanique (MEMS) comprenant un piège à gaz haute densité. Le piège à gaz haute densité comprend une surface de silicium formée par formation de porosités ou par formation de tranchées dans une cavité étanche du dispositif. La surface de silicium comprend un dépôt de titane ou d'autre matériau de piégeage afin de réduire la quantité de gaz présente dans la chambre étanche de façon à former une chambre basse pression. Le piège à gaz haute densité est utilisé dans des bolomètres et dans des gyroscopes, mais ne se limite pas à ces dispositifs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)