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1. (WO2014159464) MASQUE MULTICOUCHE INCLUANT UNE COUCHE D'ABSORPTION D'ÉNERGIE LASER NON PHOTODÉFINISSABLE POUR DÉCOUPE EN DÉS DE SUBSTRATS PAR GRAVURE AU LASER ET AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/159464    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/023767
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 11.03.2014
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : LEI, Wei-Sheng; (US).
CHOWDHURY, Mohammad Kamruzzaman; (US).
EGAN, Todd; (US).
EATON, Brad; (US).
YALAMANCHILI, Madhava Rao; (US).
KUMAR, Ajay; (US)
Mandataire : BERNADICOU, Michael A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, California 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
61/784,621 14.03.2013 US
Titre (EN) MULTI-LAYER MASK INCLUDING NON-PHOTODEFINABLE LASER ENERGY ABSORBING LAYER FOR SUBSTRATE DICING BY LASER AND PLASMA ETCH
(FR) MASQUE MULTICOUCHE INCLUANT UNE COUCHE D'ABSORPTION D'ÉNERGIE LASER NON PHOTODÉFINISSABLE POUR DÉCOUPE EN DÉS DE SUBSTRATS PAR GRAVURE AU LASER ET AU PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)Methods of dicing substrates having a plurality of ICs. A method includes forming a multi-layered mask comprising a laser energy absorbing, non-photodefinable topcoat disposed over a water-soluble base layer disposed over the semiconductor substrate. Because the laser light absorbing material layer is non-photodefinable, material costs associated with conventional photo resist formulations may be avoided. The mask is direct-write patterned with a laser scribing process to provide a patterned mask with gaps. The patterning exposes regions of the substrate between the ICs. Absorption of the mask layer within the laser emission band (e.g., UV band and/or green band) promotes good scribe line quality. The substrate may then be plasma etched through the gaps in the patterned mask to singulate the IC with the mask protecting the ICs during the plasma etch. The soluble base layer of the mask may then be dissolved subsequent to singulation, facilitating removal of the layer.
(FR)L'invention concerne des procédés de découpe en dés de substrats ayant une pluralité de circuits imprimés. Un procédé comprend former un masque multicouche comprenant une couche de finition non photodéfinissable absorbant l'énergie laser disposée sur une couche de base hydrosoluble disposée sur le substrat semi-conducteur. Étant donné que la couche de matériau absorbant la lumière laser est non photodéfinissable, les coûts des matériaux associés aux formulations de résines photosensibles classiques peuvent être évités. Le masque est structuré par écriture directe avec un procédé de gravure au laser pour fournir un masque structuré avec des trous. La structuration expose des régions du substrat entre les circuits intégrés. L'absorption de la couche de masque dans la bande d'émission laser (par exemple, bande UV et/ou bande verte) favorise une bonne qualité de ligne de séparation. Le substrat peut ensuite être gravé au plasma à travers les trous dans le masque structuré pour singulariser le circuit intégré avec le masque protégeant les circuits intégrés pendant la gravure au plasma. La couche de base soluble du masque peut ensuite être dissoute après la singularisation, facilitant ainsi l'enlèvement de la couche.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)