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1. (WO2014159267) ENCAPSULATION EN COUCHES MINCES - COUCHE BARRIÈRE MINCE ULTRA HAUTE POUR APPLICATION OLED
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/159267    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/022765
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 10.03.2014
CIB :
H01L 51/52 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : KUMAR, Bhaskar; (US).
HAAS, Dieter; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, LLP 24 Greenway Plaza, Suite 1600 Houston, TX 77046 (US)
Données relatives à la priorité :
61/785,171 14.03.2013 US
Titre (EN) THIN FILM ENCAPSULATION - THIN ULTRA HIGH BARRIER LAYER FOR OLED APPLICATION
(FR) ENCAPSULATION EN COUCHES MINCES - COUCHE BARRIÈRE MINCE ULTRA HAUTE POUR APPLICATION OLED
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for depositing a multilayer barrier structure is disclosed herein. In one embodiment, a thin barrier layer formed over an organic semiconductor includes a non-conformal organic layer, an inorganic layer formed over the non-conformal organic layer, a metallic layer formed over the inorganic layer and a second organic layer formed over the metallic layer. In another embodiment, a method of depositing a barrier layer includes forming an organic semiconductor device over the exposed surface of a substrate, depositing an inorganic layer using CVD, depositing a metallic layer comprising one or more metal oxide or metal nitride layers over the inorganic layer by ALD, each of the metal oxide or metal nitride layers comprising a metal, wherein the metal is selected from the group consisting of aluminum, hafnium, titanium, zirconium, silicon or combinations thereof and depositing an organic layer over the metallic layer.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil pour déposer une structure de barrière multicouche. Dans un mode de réalisation, une couche barrière mince formée sur un semi-conducteur organique comprend une couche organique non conforme, une couche inorganique formée sur la couche organique non conforme, une couche métallique formée sur la couche inorganique et une seconde couche organique formée sur la couche métallique. Dans un autre mode de réalisation, un procédé de dépôt d'une couche barrière comprend former un dispositif à semi-conducteur organique sur la surface exposée d'un substrat, déposer une couche inorganique en utilisant le CVD, déposer une couche métallique comprenant une ou plusieurs couches d'oxyde métallique ou de nitrure métallique sur la couche inorganique par ALD, chacune des couches d'oxyde métallique ou de nitrure métallique comprenant un métal, le métal étant choisi dans le groupe constitué par l'aluminium, l'hafnium, le titane, le zirconium, le silicium ou des combinaisons de ceux-ci, et déposer une couche organique sur la couche métallique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)