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1. (WO2014159170) PROCÉDÉS DE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/159170    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/022340
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 10.03.2014
CIB :
H05B 33/02 (2006.01), G02F 1/00 (2006.01), G09F 9/00 (2006.01)
Déposants : CORNING INCORPORATED [US/US]; 1 Riverfront Plaza Corning, New York 14831 (US)
Inventeurs : BOWDEN, Bradley Frederick; (US).
ELLISON, Adam James; (US).
WEEKS, Wendell Porter; (US)
Mandataire : SCHMIDT, Jeffrey A.; Corning Incorporated Intellectual Property Department SP-Ti-03-01 Corning, New york 14831 (US)
Données relatives à la priorité :
61/781,872 14.03.2013 US
Titre (EN) METHODS OF PROCESSING ELECTRONIC DEVICES
(FR) PROCÉDÉS DE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A method of processing electronic devices includes obtaining an article (2) having a thin glass sheet (20) coupled to a carrier (10) that has a first QCOLED compaction value. The article is subjected to a first processing cycle (P1) to form a first device (40) on the thin glass sheet, wherein after the first processing cycle, the carrier has a second QCOLED compaction value that is less than the first QCOLED compaction value. The thin glass sheet is removed (P2) from the carrier. Subsequently, the carrier is subjected to a second processing cycle (P4) to form a second device (50) thereon, wherein during the second processing cycle a maximum processing temperature used is not the same as that used during the first processing cycle. Instead of forming second devices on the carrier, a second thin sheet (220) may be coupled to the carrier and third devices (60) processed thereon.
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement de dispositifs électroniques comprenant l'obtention d'un article (2) qui présente une plaque en verre mince (20) couplée à un support (10) qui possède une première valeur de compactage QCOLED. L'article est soumis à un premier cycle de traitement (P1) pour former un premier dispositif (40) sur la plaque en verre mince, le support présentant, après le premier cycle de traitement, une deuxième valeur de compactage QCOLED qui est inférieure à la première valeur de compactage QCOLED. La plaque en verre mince est retirée (P2) du support. Le support est ensuite soumis à un deuxième cycle de traitement (P4) pour former un deuxième dispositif (50) sur celui-ci, une température de traitement maximale utilisée pendant le deuxième cycle de traitement n'étant pas la même que celle utilisée pendant le premier cycle de traitement. Au lieu de former des deuxièmes dispositifs sur le support, une deuxième plaque mince (220) peut être couplée au support et des troisièmes dispositifs (60) formés sur celle-ci par traitement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)